第二半导体中的杂质和缺陷精要.ppt

第二章 半导体中的杂质和缺陷 杂质半导体与杂质电离： 介绍硅、锗中的浅能级杂质以及杂质能级，浅能级杂质电离能的计算，并介绍杂质的补偿作用。 介绍III-V族化合物中的杂质能级，引入等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念。 实际的半导体晶格为不完美晶格：原子在平衡位置作振动、材料不纯净含有其它非组分元素、晶体结构不完整等。 由于杂质和缺陷的存在，会使严格按照周期性排列的原子所产生的周期性势场受到扰乱，因而杂质的电子不可能处于正常的导带和价带中，而是在禁带中引入允许电子具有的能量状态（等高的分立能级），即在禁带中引入杂质能级，以至于影响半导体材料的性质。 III、V族杂质在硅、锗晶体中可处于束缚态和电离后的离化态，其电离能很小，引入的是浅能级，这些杂质称为浅能级杂质。 根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为： 浅能级杂质→ 杂质能级接近导带底Ec 或价带顶Ev 深能级杂质→ 杂质能级远离导带底Ec 或价带顶Ev §2-1 半导体中的浅能级杂质和缺陷 一、杂质存在的方式和缺陷类型 1. 存在方式 （1）间隙式 杂质位于组成半导体的元素或离子的格点之间的间隙位置，其原子半径较小 金刚石结构中，一个晶胞内的原子占晶体原胞的34％，空隙占66％。例如Li、H （2） 替位式 →杂质占据格点的位置，取代晶格原子。要求杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近并且价电子壳层结构比较相近。例如，Si：r =0.117nm B：r =0.089nm P：r =0.11nm 2. 缺陷的类型 （1）空位和填隙 （2）替位原子 化合物半导体：由A、B两种原子组成 二、元素半导体中的杂质和缺陷 1. ⅤA族的替位杂质 （1）在硅Si中掺入P 氢原子中的电子的运动轨道半径为： n＝1为基态电子的运动轨迹 Si中受正电中心P+束缚的电子的运动轨道半径： (εr)Si＝12 me*＝0.4m0 电子基态的运动半径为： P原子中这个多余的电子，其运动半径远远大于其余四个电子，所受到的束缚最小，极易摆脱束缚成为自由电子。 P原子具有提供电子的能力，称其为施主杂质。 对于Ge中的P原子，剩余电子的运动半径：r ≈85? (2) 施主电离能和施主能级 n= 1→基态，电子的能量为E1 n=∞ →电离态，电子的能量为E ∞ 通过类氢原子模型进行估算，电子从稳定的基态到电离态所需要的能量就是电子的电离能△E： △E = E ∞- E1 氢原子中的电子的电离能为： 施主的电离能 设施主杂质能级为ED： 施主杂质的电离能△ED = 弱束缚的电子摆脱束缚成为晶格中自由运动的电子（导带中的电子）所需要的能量 = Ec -ED 在Si、Ge中掺P Si : me*= 0.26m0 Ge : me*= 0.12m0 εrSi =12，εr Ge =16 在Si中掺P：△ED =0.044 eV 掺As: △ED =0.049 eV 掺Sb: △ED =0.039 eV 在Ge中掺P: △ED =0.064 eV 施主能级靠近导带底部，△ED = Ec –ED 施主杂质的电离能较小，在常温下基本上电离 V族杂质在硅、锗晶体中作为施主。杂质原子电离后，向导带提供电子，而自身成为难以移动的带正电离子，使半导体成为n型，这种杂质称为施主杂质或n型杂质。 含有施主杂质的半导体，其导电的载流子主要是电子——N型半导体，或电子型半导体。 2. ⅢA族的替位杂质 （1）在硅Si中掺入B B获得一个电子变成负离子，成为负电中心，周围产生带正电的空穴。 B具有得到电子的能力。杂质原子电离后，接受价带中电子，使价带中增加空穴，成为p型半导体，而自身成为不可移动的带负电的离子，这类杂质称为受主杂质。受主杂质向价带提供空穴。 (2) 受主电离能和受主能级 mp*=0.05～0.1m0 掺入B ，(△EA ) Si =0.04 ev， (△EA )Ge =0.04 ev △EA = EA –EV 受主能级EA靠近价带顶部 受主杂质的电离能小，在常温下基本上被价带电离的电子所占据（空穴由受主能级向价带激发）。 III族杂质在硅、锗作为受主，电离后提供可以自由运动的导电空穴，同时也就形成一个不可移动的负电中心，称III族杂质为受主杂质。主要依靠价带空穴导电的半导体称为p型半导体。 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程：（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁)称为杂质电离或杂质激发。所需要