电子材料西西制备0416.ppt

继续增加InAs沉积量：部分3D岛长大， 当岛内应力超过位错形成能:岛边缘产生位错 释放应变能，变成熟化岛(ripened island) 受动力学生长因素控制，熟化岛有一定尺寸和密度 经典热力学平衡理论： 异质外延成核机制，由衬底和外延层的表面能、界面能决定，未考虑晶格失配带来的应变能。 Daruka和Barabasi，利用热力学平衡理论，深入研究外延生长模式随晶格失配度ε大小、沉积量H等的变化关系，得到外延生长平衡相图。 “备”则“倍” 有准备、有规划的人生更精彩！ 2.2 薄膜的成核长大动力学 2.2.1 成核长大的物理过程 薄膜成核长大过程相当复杂，它包括一系列热力学和动力学过程，其中的具体过程有： 原子沉积到衬底，从衬底再蒸发， 在衬底、晶核上表面扩散和界面处互扩散， 沉积率R 吸附 再蒸发 表面扩散 成核 互扩散 成核(包括形成各种不同大小、数量不断增多 的亚稳定晶核、临界晶核和稳定晶核)， 长大等过程。 沉积率R 吸附 再蒸发 表面扩散 成核 互扩散 这些过程都是随机过程，需要利用热力学、统计物理和动力学得到描述这些过程的解析公式。 核的形成与生长有四个步骤： 1）从源蒸发出的气相原子入射到基体表面，一部分能量较大的弹性反射回去，另一部分吸附在基体表面。 吸附原子中，有一小部分因能量稍大而再蒸发出去。 核的形成与生长有四个步骤： 2）吸附