逆变稳压电源设计分析.pptVIP

基于单片机控制新型逆变稳压电源的设计与仿真 研究生： 王一铧 指导老师：黄耀志教授 本课题的主要任务是了解并掌握电力电子器件IGBT的原理和使用，并用电源的逆变技术设计出一台基于单片机控制的新型逆变稳压电源，先用MATLAB语言的电力仿真工具箱SimPower对所设计的系统进行仿真，分析其可行性，在此基础上，对所设计的电源系统进行调试 。 本课题所设计逆变电源的参数要求： 1、输入电压：市电三相电源380VAC； 2、输出电压：输出为单相220VAC(有效值)、 频率为50Hz的稳压电源； 3、输出功率：3KW，允许过载10％； 4、整机效率：设计目标为90％； 5、稳压精度：小于2％。 基本原理 IGBT管的基本原理与特性 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）简称IGBT,因为它的等效结构具有晶体管模式，所以称为绝缘栅双极型晶体管。 IGBT综合了MOS和GTR的优点，其导通电阻是同一耐压规格的功率MOS的1/10，开关时间速度快，是同容量GTR的1/10。 IGBT是一个由MOSFET驱 动的厚基区PNP晶体管 导通：UGE大于开启电压时， MOSFET内形成沟道，为晶体 管提供基极电流，IGBT导通。 关断：栅、射极间施加反压或不加信号时，