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第十一章 半导体材料制备 生长技术 体单晶生长技术 单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料 ，半导体硅的单晶生长可以获得电子级（99.999999%）的单晶硅 外延生长技术 外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。 新生单晶层的晶向取决于衬底，由衬底向外延伸而成，故称“外延层”。 晶体生长问题 生长热力学 生长动力学 生长系统中传输过程 11.1 体单晶生长 结晶过程驱动力 杂质分凝 组分过冷 结晶过程驱动力 杂质分凝 杂质在液相和固相中的浓度不同 组分过冷 生长过程中，杂质不断排向熔体，使熔体中杂质浓度越来越高，过冷度愈来愈大，离固液界面越远 10.2 体单晶生长方法 10.2.1 直拉法 温度在熔点附近 籽晶浸入熔体 一定速度提拉籽晶 最大生长速度 熔体中的对流 生长界面形状 各阶段生长条件的差异 10.2.2 直拉生长技术的改进 磁控直拉法-----Si 连续生长法-----Si 液体覆盖直拉法-----GaAs，InP，GaP，GaSb，InAs 蒸汽控制直拉法-----GaAs，InP 10.2.3 悬浮区熔法 利用悬浮区的移动进行提纯和生长 无坩埚生长技术，减少污染 杂质分凝 Si 10.2.4 垂直梯度凝固法和垂直布里奇曼法 VGF 多段加热炉 温度梯度 GaAs，InP VB 加热炉