电子薄膜实验分析.pptVIP

* * * * * * * * 思考题 1、真空蒸发镀膜的基本原理及过程是什么？ 2、电子束蒸发镀膜高真空如何获得 3、请写出光刻的8个基本步骤 * * * * * * * * * * * * * * * * * * *  * * * * * * * * * * 4、对准和曝光 工艺目的： 将掩膜板上的图形通过镜头由紫外线传递到硅片表面光刻胶膜上, 形成光敏感物质在空间的精确分布，最终达到图形精确转移的目的。 4、对准曝光 系统示意图 URE-2000/35光刻机 中国科学院光电技术研究所 紫外接近，接触式光刻 曝光面积：100mm×100mm； 分辨力：1μm（胶厚2μm 的正胶）； 掩模尺寸：2.5inch、3 inch、4 inch、5 inch； 样片尺寸：Φ15mm - Φ100 mm； 样片厚度：0.1mm - 6mm； 曝光波长：365nm 5. 曝光后烘培（PEB） 工艺目的：使曝光后的光敏感物质在光刻胶内部进行一定的扩散，可有效防止产生驻波效应。 工艺方法：在温度为100℃的热板烘60秒 驻波效应 6. 显影 工艺目的： 溶解硅片上 曝光区域 的胶膜，形 成精密的光 刻胶图形。 显影及显影后的硅片图形 ? 正胶 负胶 显影液 氢氧化钠NaOH 二甲苯 ? 四甲基氢氧化铵TMAH 弱碱 Stoddard(斯托达德)