核辐射测量方法分析.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * 画图说明。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1) 能谱 但实验直接测得的是脉冲幅度谱，即 式中dN代表脉冲幅度落在h~h+dh的脉冲数，dN/dh表示输出脉冲幅度为h的单位幅度间隔内的脉冲数。 由于统计涨落，即使对同一能量的带电粒子，也会产生不同幅度的脉冲，形成脉冲幅度分布。脉冲幅度分布的中心值对应某一入射粒子的能量。 能谱的定义：能谱就是 的直方图。 实测多采用多道脉冲幅度分析器，给出： 2) 谱仪的能量刻度和能量刻度曲线 探测器输出脉冲幅度 与入射粒子能量E一般具有线性关系，这里的 指脉冲幅度分布的中心位置的幅度值。若输出脉冲幅度与入射粒子能量具有良好的线性关系。则有： 而脉冲幅度分析器具有良好的线性， 所以： 增益，单位为[keV/ch] 零道址对应的粒子能量，称为零截 E与x的函数关系E(x)，称为能谱仪的能量刻度曲线。借助于一组已知能量的辐射源进行能量刻度，而得到一条能量刻度曲线。横坐标为道址x，纵坐标为入射粒子的能量E。 2. ?能谱的测量 1) 能量分辨率 以金硅面垒半导体探测器为例。 210Po的E?＝5.3MeV，?E＝15.8keV 2) ?能谱仪的能量刻度 在测得输出脉冲幅度谱后，必须进行能量刻度，才能确定?粒子的能量。借助一组已知能量的?源进行能量刻度，得到一条能量刻度曲线。根据脉冲幅度分布的中心位置道址求出?粒子的能量。 对于?粒子能谱的测量，要考虑到?粒子与物质相互作用的特点，并尽量选择能量分辨率较好及使用较方便的探测器。 3) 探测器的选择 金硅面垒半导体探测器；屏栅电离室；带窗的正比计数器等。 由于?能谱是连续谱，仅存在E?max，给测量带来困难。 1）精确测定?粒子能谱(如采用磁谱仪)，用居里描绘而求出E?max。也可用半导体探测器，由于存在散射，会使谱形畸变，而影响测量结果。 3. ?能谱的测量 2）用吸收法测得?粒子的最大射程，再根据经验公式求得其最大能量。对?衰变伴有?射线发射的样品，一般都通过?能谱的测量来确定核素的含量。 12.4 ?射线能谱的测量和能谱的解析 1. 单能?能谱的分析 1) 单晶?谱仪 常用NaI(Tl)，Cs(Tl)，Ge(Li)，HPGe等探测器 主过程：全能峰——光电效应＋所有的累计效应；多次康普顿散射、康普顿边沿及平台；单、双逃逸峰。 2) 单能?射线的能谱 其他过程：和峰效应；I(或Ge)逃逸峰；边缘效应(次电子能量未完全损失在灵敏体积内)。 屏蔽和结构材料对?谱的影响：散射及反散射峰；湮没峰；特征X射线；轫致辐射。 主过程：全能峰—光电效应＋所有的累计效应；多次康普顿散射、康普顿边沿及平台；单、双逃逸峰。 其他过程：和峰效应。 和峰 其他过程：碘逃逸峰。 碘：k?= 28.6keV Co：k?=6.9keV, k?=7.7keV Si：k?=1.74keV In：k?=24.0keV Sn：k?=25.2keV 其他过程：硅逃逸峰 屏蔽和结构材料对?谱的影响：特征X射线 表面效应或边缘效应 正电子湮没峰 屏蔽和结构材料对?谱的影响 湮没峰； 轫致辐射。 轫致辐射 3) 能量特征峰 从?射线能谱中可以看出，全能峰、单逃逸峰、双逃逸峰的峰位所对应的能量与?射线的能量都有确定的对应关系，称为特征峰。即： 全能峰 单逃逸峰 双逃逸峰 (1) 峰位和能量刻度 峰位即特征峰的中心位置，代表?射线的能量。 能量刻度：选一组能量已知的?射线标准源，用?谱仪得到特征峰的峰位与?射线能量的关系，称为对该?谱仪的能量刻度。 (2) 峰宽与能量分辨率 峰函数：用高斯函数表示。 FWHM与?的关系： 能量分辨率： 典型?能谱仪能量分辨率 55Fe 5.9keV 137Cs 662keV 60Co 1.33MeV Si(Li) 160~220eV 正比计数器 ~17% NaI(Tl) ~80% ~7-8% ~5-6% Ge(Li)或HPGe 1.3~2.2keV 6.4keV 5.9keV (3) 源峰探测效率、峰面积、峰总比、峰康比 源峰探测效率(又称峰探测效率) ?sp 峰面积 或 峰总比： 峰康比： 闪烁探测器 半导体探测器 2. ?谱仪装置 1) 单晶?谱仪。 探测器 放大器 多道分析器 计算机 高压 2) 全吸收反康普顿谱仪。 主探测器 符合环 前置放大 反符合 带门控的多道 前置放大 控制信号 测量信