施密特触发器及其应用.docVIP

一、实验目的 进一步掌握施密特触发器的原理和特点，熟悉和了解由施密特触发器构成的部分应用电路，学会正确使用TTL，CMOS集成的施密特触发器。 二、实验内容 1．具有施密特性的门电路特性测试 （1）74LS132芯片的特性测试 图?20.1所示为74LS132芯片的原理电路和逻辑符号图。 图20.1 用实验法测出芯片的电压传输特性曲线。并标出VT+，VT-，ΔVT等值。 参照给定的原理电路图，说明VT+，VT-，·ΔVT等值和理论分析值是否一致？ 理论分析时，可假设肖特基三极管的VBES≈0.8V，VCES≈0.3V，肖特基二极管的正向导通压降VD≈0.4V。 （2）CMOS CD40106特性测试 图20.2所示为CD40106芯片的原理电路的逻辑符号图。 令VDD=+5V，测出CD40106的VT+，VT-·ΔVT值，画出相应的电压传输特性曲线。 改变VDD值，使之分别为+10V，-15V，重复上述内容。 图20.2 2．施密性触发器的应用。 （1）多谐振荡器 按图20.3所示电路接线，VDD=-5V。 (b) ? （a） ? 图20.3 用示波器观察图（a），图（b）电路输出端Vo的波形。 选择电容C，使图（a）中Vo的频率f=100KHZ~150KHZ。 选取图（b）电路中的电容C，令其分别为100PE和1μF，测出Vo端振荡波形的相应的频率。 （2）压控振荡器 按图20.4所示电路接线VDD=+5V 信号V1的变化范围为2.5~5.0V 图20.4 用示波器观察并记录Vo端的波形。 当V1取值分别为：2.5V、3V、3.5V、4.0V、4.5V、5V时测出Vo端波形相应的频率f。 观察电路中元件参数的大小（如电阻R、电容C）和f有何关系？ 观察与非门的VT施密特触发器的VT+、VT-和f有何关系？ 三、思考题 1．施密特触发器电路的特点是什么？（图20.1） 所示的原理电路是由哪几部分构成的？各部分的作用是什么？ 2．CMOS施密特触发器的VDD值的大小和芯片的VT+、VT-、ΔVT参数有何关系？ 3．改变图20.1图（b）电路的VDD值时，Vo端的振荡频率是否会跟着变化？怎样变化？ 四、实验仪器及材料 1．仪器：示波器 2．材料：CMOS????芯片 ??????????????????CD40106??具有施密特触发 ??????????????????特性的反相器????????????????????????1片 ??????????????????CD4009????六缓冲器/转换器（反相）???1片 ?????????TTL?????芯片 ??????????????????74LS132???具有施密特触发性的与非门??1片