第12章金属化.pptVIP

* 集成电路工艺 * 钨 CVD 作为淀积通孔填充薄膜以及在第一金属层与硅化物接触之间扮演接触填充物的过程，钨CVD被用于多层互连技术。 1.极好的台阶覆盖和间隙填充，特别是在高深宽比通孔的填充方面。 2.良好的抗电迁移特性。 * 集成电路工艺 * 具有 Ti/TiN 阻挡层金属的垫膜钨 CVD Ti 2 准直钛淀积覆 盖通孔底部 间隙填充介质 铝 通孔 PECVD SiO2 1. 层间介质通孔刻蚀 CVD TiN 等角淀积 TiN 4. CVD 钨淀积 钨通孔薄膜 5. 钨平坦化 钨填充 薄膜 * 集成电路工艺 * PVD 多腔集成设备 * 集成电路工艺 * 铜 CVD 为淀积铜电镀所必需的种子层，铜CVD是最具有潜力的工艺。 Cu(hfac)2（铜的先驱物，气体）＋H2（气体） Cu0（固体）＋2H(hfac)(气体） * 集成电路工艺 * 3.4 铜电镀 高性能微处理器和快速静态存储器使用铜工艺。 电镀铜金属的基本原理是将具有导电表面的硅片沉浸在硫酸铜溶液中，这个溶液包含所需要淀积的铜。硅片和种子层作为带负电荷的平板或阴极电连接到外电源。固体铜块沉浸在溶液中并构成带正电荷的阳极。电流从硅片进入溶液到达铜阴极。当电流流动时，下列反应在硅片表面淀积铜金属：Cu2+ + 2e- Cuo * 集成电路工艺 * 铜电镀系统 - 阴极 + 阳极 衬底 电镀液 入口 出口 出口 铜离子 铜原子附着在硅片上 + + * 集成电路工艺 * 铜电镀工具 Used with permission from Novellus Systems, Inc. * 集成电路工艺 * 4.金属化方案 传统的铝结构 铜大马士革结构 * 集成电路工艺 * 双大马士革法的铜金属化 1: SiO2 淀积 说明： 用 PECVD 淀积内层氧化硅到希望的厚度，这里没有关键的间隙填充，因此PECVD 是可以接受的。 SiO2 * 集成电路工艺 * 2：Si3N4 刻蚀阻挡层淀积 说明： 厚 250 ? 的 Si3N4 刻蚀阻挡层被淀积在内层氧化硅上。SiN需要致密，没有针孔，因此使用 HDPCVD 。 Si3N4 双大马士革法的铜金属化 * 集成电路工艺 * 双大马士革法的铜金属化 3：确定通孔图形和阻挡层 说明： 光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入 SiN. 中，刻蚀完成后去掉光刻胶。 SiN * 集成电路工艺 * 双大马士革法的铜金属化 4：淀积保留介质的 SiO2 说明： 为保留层间介质，PECVD 氧化硅淀积。 SiO2 * 集成电路工艺 * 双大马士革法的铜金属化 5：确定互连图形 说明： 光刻确定氧化硅槽图形，带胶。在确定图形之前将通孔窗口放在槽里。 Photoresist * 集成电路工艺 * 双大马士革法的铜金属化 6：刻蚀互连槽和通孔 说明： 在层间介质氧化硅中干法刻蚀沟道，停止在 SiN 层。穿过 SiN.层中的开口继续刻蚀形成通孔窗口。 * 集成电路工艺 * 双大马士革法的铜金属化 7：淀积阻挡金属层 说明： 在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的PVD淀积钽( TaN）和氮化钽扩散层。 阻挡层金属 * 集成电路工艺 * 双大马士革法的铜金属化 8：淀积铜种子层 说明： 用 CVD. 淀积连续的铜种子层，种子层必须是均匀的并且没有针孔。 铜种子层 * 集成电路工艺 * 双大马士革法的铜金属化 9：淀积铜填充 说明： 用电化学淀积 (ECD).淀积铜填充，即填充通孔窗口也填充槽。 铜层 * 集成电路工艺 * 双大马士革法的铜金属化 10：用CMP清除额外的铜 说明： 用CMP 清除额外的铜，这一过程平坦化了表面并为下道工序做了准备。最后的表面是一个金属镶嵌在介质内，形成电路的平面结构。 Copper * 集成电路工艺 * 双大马士革的优点 避免金属刻蚀 在刻蚀好的金属线之间不再需要填充介质间隙 减少了工艺步骤20％－30％ * 集成电路工艺 * 5.金属化质量检查及故障排除 溅射金属的附着； 溅射薄膜的应力； 溅射的膜厚； 溅射薄膜的均匀性 * 集成电路工艺 * 小结 金属化淀积的金属薄膜，在芯片上形成了互连金属线和接触孔或通孔连接。有6类金属用于硅片制造业，各有不同的特点满足不同的性能要求。 铝用作传统的互联金属线。欧姆接触是硅和互连金属之间的低阻接触。 铝也常和铜形成合金最大程度地解决电迁徒稳定性问题，铜的含量在0.5％～4％之间。 新的互连金属化建立在铜冶金的基础上以减小金属电阻。铜和具有低K值的介质联合使用将减小芯片的互连延迟。 * 集成电路工艺 * 小结（续） 连接金属时常使用阻挡层金属