2006-半导体物理B考试参考答案即评分标准.docVIP

电子科大2005－2006年第一学期 半导体物理Ⅱ期末考试 时间：2006年1月13日 注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分10分，实验成绩满分10分；期中考试成绩10分。 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。 一、选择填空（含多选题）（18分） 1、重空穴是指（ C ） A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 2、硅的晶格结构和能带结构分别是（ C ） A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 3、电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（ C ）。 A、各处出现的几率相同 B、各处的相位相同 C、各元胞对应点出现的几率相同 D、各元胞对应点的相位相同 4、本征半导体是指（ A ）的半导体。 A、不含杂质与缺陷； B、电子密度与空穴密度相等； C、电阻率最高； C、电子密度与本征载流子密度相等。 5、简并半导体是指（ A ）的半导体 A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0 B、(EC-EF)或(EF-EV)≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子