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半导体薄膜制备及光电性能表征 实验简介 《半导体薄膜》实验主要内容：半导体薄膜简介，以ZnO薄膜为例，介绍其性能、生长和应用；磁控溅射生长ZnO薄膜；霍尔效应介绍；ZnO薄膜的性能测试，以Hall测试来表征ZnO薄膜的电学性能。 半导体薄膜 半导体薄膜的基本分类可如下：（1）Ⅳ族半导体，如Si、Ge、金刚石等，为元素半导体；SiC等，为化合物半导体。（2）Ⅱ-Ⅵ族半导体，如Zn、Cd与O、S、Se、Te形成的化合物，主要有CdS、ZnSe、ZnO等，为化合物半导体。（3）Ⅲ-Ⅴ族半导体，如Al、Ca、In与N、P、As等形成的化合物，主要有InP、GaAs、GaN等，为化合物半导体。（4）复杂化合物半导体，如Cu（In，Ga）Se2等。（5）有机半导体。 在上述半导体材料中，Si和Ge的禁带宽度分别是1.12eV和0.66eV，此类半导体为窄禁带半导体；ZnO和GaN的禁带宽度均约为3.37eV，此类半导体为宽禁带半导体。另外，按照能带结构，导带底和价带顶在K空间中是否处在同一位置，还可分为间接带隙和直接带隙半导体，Si、Ge为间接带隙半导体，ZnO、GaN为直接带隙半导体。 本实验以ZnO为例介绍半导体材料，ZnO在自然界中以矿物的形式存在，人们在研究应用的过程中，先后制备出了多种形态的ZnO材料，如：粉体、陶瓷体材、体单晶、薄膜和纳米结构等。薄膜材料指的是利用某些生长技术，在衬