模电复习重点.docxVIP

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  • 2016-11-24 发布于重庆
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模电复习重点

第1章 1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 2、半导体始终带电中性。 3、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。 4、PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。 5、稳压管的稳压区是其工作在反向击穿状态。 6、当晶体管工作在放大区时,发射结电压应正向偏置、集电结电压应反向偏置。 NPN型三极管要截止的电压条件是发射结电压Ube0.7V即Ub-Ue0.7V NPN型三极管要满足放大的电压条件是发射极加正向电压,集电极加反向电压:Ube=0.7V即Ub-Ue=0.7V NPN型三极管要满足饱和的电压条件是发射结和集电结均处于正向电压:Ube0.7V即Ub-Ue0.7V 7、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大。 8、工作在放大区的三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为100。 9、三极管类型、极性判断 电压值处于中间的为b极,电位相差0.7V(锗管0.2V)的为e极 箭头方向PNP:e指向b;NPN:b指向e 10、如图IBQ=VBB-UBEQRb,ICQ=βIBQ,UO=VCC-ICQRC,IE=IC+IB,IE=(1+β)IB 三极管临界饱和IC=VCC-UBERc 例1:如左下图稳压管电路中,稳压管的稳定电压UZ=6V,稳定电流IZmin=5mA,IZmin=25mA;负载电阻RL=600Ω。求限流电阻R的取值范围。 解:由图知,IR=IDZ+IL。其中IDZ=5~25mA, IL=UZRL=6600A=10mA 所以IR=15~35mA R上电压UR=UI-UZ=10-6V=4V 所以 Rmax=URIRmin=(415×10-3)Ω≈267Ω Rmin=URIRmax=(435×10-3)Ω≈114Ω 限流电阻R的取值范围为114~267Ω。 例2:如右上图所示稳压管,最小稳压电流IZmin=5mA,最大稳压电流IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V、 15V?、 35V三种情况下输出电压UO的值; (2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么情况?为什么? 解:(1)当UI=10V时,R两端的电压 UR=UI-UZ=(10-6)V=4V IR=URR=4mAIZmin=5mA 所以稳压管没被击穿,则UO=RLR+RL=103V 当UI=15V时,R两端的电压 UR=UI-UZ=(15-6)V=9V IR=URR=9mA 因为IZminIRIZmax,所以稳压管工作在反向击穿状态, UO=UZ=6V 当UI=35V时,R两端的电压 UR=UI-UZ=(35-6)V=29V IR=URR=29mAIZmax=25mA 所以稳压管将被烧坏。 (2)当UI=35V时负载开路 IZ=UI-UZR=29mAIZmax=25mA 所以稳压管将被烧坏。 第2章 1、电路有放大电流或放大电压,才称其有放大作用。 2、可以说任何放大电路都有功率放大作用; 3、放大电路中输出的电流和电压不一定都是由有源元件提供的。 4、电路中各电量的交流成份未必是交流信号源提供的。 5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 6、由于有温漂的存在,所以当输入信号为直流信号时,放大电路的输出也会有变化。 7、共射放大电路中输出电压的底部失真不一定都是饱和失真。 8、画直流通路与交流通路 直流通路是在直流电源VBB、VCC作用下直流电流流经的通路。 1)电容开路,电容有“隔直”作用; 2)电感短路; 3)信号源短路,内阻保留。 交流通路是输入信号作用下交流信号流经的通路。 1)电容短路; 2)直流电源(VBB、VCC)短路,内阻保留。 9、静态工作点:IBQ=VBB-UBEQRb,ICQ=βIBQ,UCEQ=VCC-ICQRC 10、交流等效电路 11、放大电路类型判断:交流通路中接地端极性对应(接地端为基极,则为共基放大电路)。 为了防止干扰必须要有“共地”端。 1)共射电路既能放大电流又能放大电压,输入电阻居中,输出电阻较大,频带较窄。 2)共集电路只能放大电流不能放大电压,输入电阻最大、输出电阻最小,具有电压跟随的特点。 3)共基电路只能放大电压而不能放大电流,输入电阻小,频带宽,电压放大倍数、输出电阻与共射电路相当,高频特性最好。 4)共集-共基形式:输入电阻高、电压放大倍数较大、频带宽。 5)共集-共射形式:输入电阻高、电压放大倍数较大。 例:基本共集放大电路如图所示,晶体管的?=60,rbb=100Ω。 (1)求解Q点、Au、Ri和Ro; (2)设US=10mV(有效值),求Ui、Uo;若C3开路,求Ui、Uo。 第3章 1、要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用共射电路,第二级应采用共射电路。

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