MetrologicalEvaluationofSignalFormationinCD-AVIPhotoMask.doc

Metrological Evaluation of Signal Formation in CD-SEM – a quantitative computer simulation－ 居安猛1、木村吉秀1、穴澤紀道2、志水隆一3 T.Iyasu1, Y.Kimura1, N.Anazawa2, and R.Shimizu3 1大阪大学大学院工学研究科、2ホロン、3国際高等研究所 1Graduate School of Engineering , Osaka University. 2HOLON Co., Ltd. 3International Institute of Advanced Studies. iyasu@atom.mls.eng.osaka-u.ac.jp はじめに 　近年、ナノデバイス製造の分野では急速な微細化が進んでおり、LSI製造プロセスでのマスクパターンも、幅、厚さともに微細化が進んでいる。このためマスクパターン幅の測定に用いられる測長走査型電子顕微鏡(Critical Dimension Scanning Electron Microscope :CD-SEM)は年々高い精度が求められるようになっている。このCD-SEMではエッジ効果で得られる二次電子ピークを用いて測長を行うが、マスク幅が大きい場合では問題にならなかった二次電子ピークとマスクのエッジ部分とのずれが、マスクの微細化に伴い大きな問題になりつつある。この二次電子ピークとエッジ位置のずれついてはあまり議論がなされていないのが現状であるが、このずれ量についての評価が、今後のマスクパターンの微細化がにおいて、重要なパラメータになると考えられる。 そこで我々はCD-SEMの二次電子ピークを定量的に求めるために、まず、二次電子生成に関して新しいアプローチを提案し、マスクエッジにおける二次電子生成をモンテカルロシミュレーションにより求め、二次電子ピーク位置のずれを、膜厚との相関関係について導いたので報告する。 モデル エネルギー損失分布はモンテカルロシミュレーションを用いて計算した。弾性散乱には(1)式に示したように遮蔽効果を組み込んだラザフォードの式を用いた。(3) (1) 非弾性散乱には(2)式に示したようにJoyによる補正項を組み込んだBetheの阻止能を用いた。 (2) 図１　アルミ内での電子散乱(10keV、103個)と深さ方向のエネルギー損失分布 固体内電子散乱のモンテカルロシミュレーション結果を図1に示しており、図1右側のように電子散乱の深さ方向のエネルギー損失、[dE/dz]Ep、を算出することができた。 　次に二次電子生成に関しては(3)式を用いて計算を行った。 [dE/dz]Epは先に求めた深さ方向のエネルギー損失分布の値を用いた。ｋは二次電子生成係数、αは二次電子吸収係数である。 αについては実験で得られる二次電子最大収量の入射エネルギーが一致するようにパラメータフィッティングを行うことで求めた。数例しかないがαについては実験(1,2) でも求められており、その値とパラメータフィッティングで得られたαは良く一致した。ｋについては (4) 式のように実験で得られた二次電子最大収量,δm(Em),とシミュレーションで得られた二次電子最大収量,δm(Em),との比例定数(4)となっている。 [δm(Em)]ex = k[δm(Em)]th (4) 図2　CD-SEMによって得られたラインプロファイル (Cr/SiO2,1.5keV) 図2は1.5keVの入射エネルギーでCD-SEMによって得られたラインプロファイルである。ピーク位置がマスクのエッジ部分に対応していると考えられている。二次電子収量の異なるにもかかわらず、エッジ部分以外はCrとSiO2の二次電子強度が同じ程度の値を示していることがわかる。これはCr、SiO2が帯電によって「二次電子量＝入射電子量」となる入射電子のエネルギーになることによりこのような結果になっていると考えられる。しかし、今回の計算では複雑な帯電現象は考えないものとし計算を行った。 結果と考察 図3　シミュレーションで求めた1.5keV入射によるマスクパターンのラインプロファイル (Cr50nm厚, (b):ピームスポット無限小、(c)ビーム幅5nm) 図３はSiO2基盤にCr50nmが乗ったマスクパターンでの二次電子収量のシミュレーションを示している。図3(a)(b)中にあるはそれぞれ①Cr表面から放出した二次電子、②SiO2からCrを通ってCr表面から放出した二次電子、③Cr側面から放出した二次電子、④Crの無いSiO2から放出した二次電子、⑤は①~④を足し合わせた二次電子である。この計算よりマスクエッ