LED外延基础知识byEntropy分析.pptVIP

LED外延基础知识 制造一部 彭昀鹏 目录 半导体基础知识 外延结构与生长原理 常见异常分析 半导体基础知识 半导体的定义 晶体 能带的形成 N型、P型半导体 PN结发光原理 半导体基础知识 半导体基础知识-晶体 单晶 晶体 多晶 固体： 非晶体 半导体基础知识-能带 能级、能带————禁带、导带、价带 半导体基础知识-P型、N型 载流子：电子、空穴 半导体基础知识-PN结、发光 形成PN结——电子、空穴注入——复合发光 外延结构与生长原理 外延原材料 气相外延原理 外延结构 各层生长原理和条件 Buffer-U1-U2-nGaN-MQW-pGaN-AlGaN 外延结构与生长原理-原料 衬底---蓝宝石衬底（AL203） MO源---TMGa(三甲基镓)；TEGa(三乙基镓)；TMAL(三甲基铝)；TMIN(三甲基铟)；CP2Mg(二茂镁) 气体---NH3；N2；H2；SiH4 外延结构与生长原理-气相外延 外延结构与生长原理-整体结构 外延结构与生长原理-Buffer 由于衬底（AL203）与GaN材料的晶格失配较大，故在生长GaN之前需要生长一层薄薄的