模拟电子技术课程复习提纲(复习必备).docVIP

第一章 半导体器件 §1.1半导体基础知识 1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理； 2、杂质半导体：杂质半导体、N型半导体、P型半导体、多数载流子、少数载流子； 3、PN结：PN结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN结的本质、PN结的单向导电特性； 4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN结导电能力的影响； 5、PN结的伏安特性：，当T=300K时，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区； 6、PN结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）； 7、PN结的电容效应：势垒电容CT、扩散电容CD，PN结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。 §1.2半导体二极管 1、二极管的结构、分类、符号； 2、二极管的伏安特性：，⑴正向特性：死区开启电压Uth=0.5V（Si）、0.1V（Ge），正向导通电压UD(on)=0.7V（Si）、0.2V（Ge），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区； 3、二极管的温度特性； 4、二极管的参数及其含义：、、、、、、； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）； 6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q点附近幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法； 7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算； 8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路； 9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。 §1.3半导体三极管 1、三极管的结构（结构特点）、类型、符号、分类； 2、三极管放大的条件：内部条件、外部条件，三种放大电路； 3、根据三极管各极电压判断三极管类型、工作状态； 4、共发射极三极管放大状态内部载流子的传输过程； 5、共发射极三极管放大状态电流分配关系，α、β的定义、物理意义及关系； 6、三极管输入特性曲线、输出特性曲线，输入特性的三个区域及特点，温度对特性曲线的影响； 7、三极管的主要参数：⑴放大倍数、，⑵极间电流、，⑶极间反向击穿电压、、，⑷极限参数、，⑸频率相关参数、； 第二章 放大电路分析基础 §2.1放大电路工作原理 1、放大电路的组成原则及各元器件作用； 2、放大电路的直流通路与交流通路； §2.2放大电路的直流工作状态（以直流通路为基础） 1、什么是静态工作点、静态工作点在放大电路中的作用； 2、解析法确定静态工作点； 3、图解法确定静态工作点：⑴输入直流负载线、⑵输入直流负载线、⑶静态工作点的确定、⑷电路中各参数对静态工作点的影响； §2.3放大电路的动态分析（以交流通路为基础） 1、图解法分析动态特性：⑴交流负载线的作法、⑵交流负载线与直流负载线的关系、⑶交流信号的图解解析、⑷放大电路的非线性失真的原因及其表现、⑸如何通过图解法确定放大电路的最大不失真输出电压； 2、三极管的微变等效模型：⑴三极管的H参数等效模型、⑵该模型参数的确定、⑶使用时应注意的问题； 3、三种基本放大电路分析：⑴分析步骤、⑵微变等效电路及参数计算：放大倍数、、、，输入电阻，输出电阻、⑶共发射极放大电路最大不失真输出的条件及相关参数的计算； 4、三种基本放大电路的比较； §2.4静态工作点的稳定及其偏置电路 1、温度对三极管静态工作点的影响； 2、射极偏置电路的组成、静态工作点稳定过程； 3、射极偏置电路的直流通路及静态工作点估算； 4、射极偏置电路的动态分析：交流通路、微变等效电路、性能指标参数计算； 5、射极偏置电路变型电路的动态分析（电容Ce对电路性能的影响）可以采用负反馈的方式分析； 6、固定偏流电路与射极偏置电路的比较； §2.5多级放大电路 1、多级放大电路的组成要求； 2、多级放大电路对耦合的要求、耦合方式、各种耦合方式的优缺点； 3、直接耦合电平移位问题及解决方法、零点漂移问题及零点漂移的衡量方法、静态工作点的计算； 4、多级放大电路的性能指标计算：输入电阻法、开路电压法； 第三章 放大电路频率特性 1、放大电路中电容对电路频率特性的影响：耦合电容影响低频特性、节电容影响高频特性、中频区不考虑电容的影响； 2、放大电路的线性失真特点、分类、原因； 3、放大电路在下限截止频率与上线截止频率点放大倍数与中频区放大倍数的关系，相位关系； 4、共发射极放大电路的幅频、相频曲线、通频带； 第四章 场效应管放大电路 1、场效应管的结构分类、工作原理、符号、转移特性曲线、输出特性曲线、输出特性曲线