电子元件CAD实验指导书2013上.docVIP

电子元件 CAD 实 验 指 导 书 （2013 上） 实验一 伪随机数的检验 ?一实验目的基本概念。基本方法。二实验仪器1、计算机（86以上IBMPC机或兼容机，M以上内存，以上硬盘）。2、操作系统Windows95以上。?三预习要求了解的基本概念。。Kolmogorov-Smirnov goodness-of-fit hypothesis test。设F(x)是某随机变量（本试验中为[0，1]上均匀分布随即变量）的分布函数，FN（x）是对该随即变量作N次独立观测获得的经验分布函数。记 根据柯尔莫哥罗夫定理，若F（x）是连续的，则当N→∞时，有 因此，当实验次数足够大时，就可以认为的概率趋于K(z)。这样可以在指定的显著性水平α下（一般为α=0.05），以max为假设检验统计量，检验样本是否来自某种分布。本试验就是检验发生的“伪随机数”是否符合[0，1]上均匀分布的累计概率密度函数。 五、实验内容和步骤 (1). 用Matlab的伪随机数生成函数生成10组伪随机数，每组含100000个伪随机数。 (2). 用累计频率检验方法检验所发生的伪随机数是否符合[0，1]上均匀分布随即变量的累积概率密度函数。将每组的假设检验结论、假设检验统计量的值和假设检验临界值记入表中。 (3). 分析以上结果，给出你的结论。 实验一、实验目的。二、实验仪器1、计算机（86以上IBMPC机或兼容机，M以上内存，以上硬盘）。2、操作系统Windows95以上。 式中，σ1、σ2、σm分别表示第一相、第二相和复合材料的磁化率（σm的数值在σ1、σ2之间）；V1和V2是两相的体积分数（V1+V2=1）；常数A=2.311，t=1.703。 在给出体积分数时，上述方程是关于σm的非线性方程，可以用解非线性方程的算法，如二分法来求出其数值解。同时，经过简单的变量代换，可以求出其解析解。可以比较两种解法的结果，加深对非线性方程数值解法的理解。 四、实验内容和步骤 1、设计具体的二分法算法，求上述方程的数值解。 2、给定σ1=2000（单位）， σ2=150（单位），V1等于0.05至0.95，间隔0.05，计算对应的σm（V1）值。要求精确到1*10-9；记录σm（V1）值和所需的循环次数。 3、推导出σm（V1）的解析公式，并依此计算计算出σm（V1）。记录两种解法的差值。 4、绘制σm~V1关系曲线。