x射线光电子能谱的分析案例.ppt

表面分析技术 (Surface Analysis)是对材料外层(the Outer-Most Layers of Materials (100nm))的研究的技术 8.2 光电子能谱仪实验技术 1．Ｘ射线激发源 2. 电子能量分析器 半球型电子能量分析器 筒镜式电子能量分析器 3. 检测器 4.真空系统 8.2 光电子能谱仪实验技术 8.2 光电子能谱仪实验技术 8.2.3 XPS谱图的表示 1. XPS谱图的表示 横坐标：动能或结合能，单位是eV，一般以结合能 为横坐标。 纵坐标：相对强度（CPS）。 结合能为横坐标的优点： 结合能比动能更能反应电子的壳层结构（能级结构）， 结合能与激发光源的能量无关 8.2 光电子能谱仪实验技术 2. 谱峰、背底或伴峰 （1）谱峰：X射线光电子入射，激发出的弹性散 射的光电子形成的谱峰，谱峰明显而尖锐。 （2）背底或伴峰：如光电子(从产生处向表面)输 送过程中因非弹性散射(损失能量)而产生的 能量损失峰，X射线源的强伴线产生的伴 峰，俄歇电子峰等。 8.2 光电子能谱仪实验技术 XPS谱图的背底随结合能值的变化关系 （3）背底峰的特点 在谱图中随着结合能的增加，背底电子的