应用总结电子元器件失效技术报告.ppt

   （1）、连接性测试——待机电流测试、端口测试  （2）、电参数测试 注意事项：为简化失效分析程序、无需进行所有规定参数的测试，只需测主要参数。 为防止引入新的失效机理，先进性连接性测试，初步确认元器件基本完好，再进行参数测试。 为防止大电流通过元器件，测量高电压下的漏电流应加限流电阻。 为防止突然开路时高压加于元器件，测量大电流时应限制电压范围。  （3）、功能测试 失效分析技术  5.2、无损失效分析技术  无损失效分析技术可定义为不必打开封装对样品进行定位和失效分析的技术。除电测失效分析技术外，X射线透视技术和反射式扫描声学显微技术（C-SAM）是两种主要的无损失效分析技术。其中X射线投射技术对MOS器件有辐射损伤，所以无损不是绝对的。两种技术比较如下表：  失效分析技术 名称 应用优势 主要原理 X射线透视技术 以低密度区为背景，观察材料的高密度区的密度异常点 观察透射X射线的被样品局部吸收后成像的异常 C-SAM 以高密度区为背景，观察材料内部空隙或低密度区 超声波遇空气受阻反射  5.3、样品制备技术  （1）、打开封装——机械开封、化学开封 机械开封（物理法）：手动式晶体管开帽器、利器揭开… 湿法腐蚀（化学法）：硫酸，硝酸； 干法腐蚀：在真空条件下，等离子体轰击  失效分析技术   （2）、去钝化层技术——化学腐蚀去钝化层、等离子腐蚀去钝化层   在真空条件下，等离子体轰击去除钝化层。 缺点：对半导体材料表面有损伤，而且有辐射，会影响材料的性质 化学方法去除钝化层 失效分析技术   （3）、金相切片制备技术   失效分析技术 注意：金相切片技