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二维光子晶体 ( 平光子晶体板－PCF ) 微电子工艺 PCS 制备工艺 Fig. 1: Photonic crystal waveguide in SOI. Pitch is 460nm, hole-size is 290nm. Fig. 2: Photonic crystal hole size after lithography and etch for different triangular lattice designs. 248nm DUV lithography on SOI SOI photonic crystals for 1550nm ：periods ： 400－500nm hole sizes：160－ 300nm. PCS 制备工艺 PBG限制波导 PCS 特性 PCS 特性 PBG限制波导－微腔耦合 PC微腔复用/解复用器 PCS 应用研究进展 PC滤波器 PCS 应用研究进展 共面PC谐振腔 PCS 应用研究进展 1563 nm 1609 nm Lcavity=6?m, Q=400 微腔耦合波导激光器 ( CALTECH ) ( MIT ) PCS 应用研究进展 光子晶体微腔激光器 --HCL:H2O=4:1 wet chemical etch 4 1.2% Compressively Strained InGaAsP QWs Slab thichness: 10nm QWs separated by 23nm barriers Lattice constant: ? = 550nm, Radius of the holes: d=215nm Central defect cavity: 19 holes PMMA—Electron-beam lithography Cr-Cu layer—Ar+ ion beam etch SiN2 layer—CF4 reactive ion etch InP Substrate InGaAsP QWs region—ECR etch PCS 应用研究进展 光子晶体微腔激光器 PCS 应用研究进展 光子晶体微腔激光器 PCS 应用研究进展 光子晶体 （三维） 制备工艺 半导体光刻工艺 ? Waves of certain ? can not enter into or propagate through the materials. Model d W Si d d d d a y z (a) (b) (c) (d) (e) b Fabrication Example Si / SiO2 ?? gap= 14 % ? 0,center ? = 1.5 ?m 制备工艺 溶胶－凝胶（Sol-gel)法 Si Substrate Substrate 微球尺度 855nm?1.3％ － SiO2 - Opals ( 模板 ) 制备 T h 80oC 65oC 制备工艺 溶胶－凝胶（Sol-gel)法 －Si - inverted opals 制备 550oC Substrate Substrate Substrate LPCVD 制备工艺 (111) surface 2层 4层 16层 a. 透射谱：— 理论 — 实验 b. 理论计算的光子能带 空气球大小： (a, b): 1mm, (c, e): 670nm 制备工艺 (100) surface c. 理论计算的光子能带 b. 反射谱：— 841nm, — 1070nm 空气球大小： (d, f) : 855mm (c )(d) Patterned photonic crystals with high aspect ratios Doping and patterning Si photonic crystals (b) 在大面晶体中刻进100-?m 光子晶体环 (a) 在 Si 光子晶体中引入填隙缺陷 制备工艺 应用研究 量子信息处理 光电子学的未来 《光电子技术及应用》课程的讲义参考了： 姚敏玉教授的《激光原理》讲义 刘小明教授的《光电子技术基础》讲义 董毅副教授的《光通信》讲义 郑小平