固态压阻传感器级待用分析.pptVIP

所以R2、R4的相对变化量为 压敏电阻R1、R3、沿 方向布置，其横向为＜110＞晶向。电阻上的纵向应力 ，横向应力 纵向压阻系数和横向压阻系数分别表示为 受力后电阻R1、R3的相对变化量为 得到径向和切向布置的力敏电阻的相对变化 　从图中看出，r越大,　　 与　　　 越大。所以单从提高灵敏度的角度考虑．最好将四个电阻制作在膜片有效面积的边缘上。 另一种设计方案，将四个电阻布置在（ 001）晶面的圆形膜片边缘附近，如图所示。这四个电阻互相平行，R1、R3为径向电阻，R2、R4为切向电阻。硅膜片受力后，压敏电阻值的相对变化量有正负之分，同样可以达到实现提高压阻全桥灵敏度的目的。 2. 压敏电阻分别位于正负应力区 当选取 晶面的P型硅作弹性膜片时，在沿110方向的直径上制作四个相等的扩散电阻，如图所示。这种电阻，只有纵向压阻效应,即 面 这同样可达到提高压阻全桥灵敏度的目的。 的正负变化，只能由应力的正负来决定。正应力区的电阻R2、R4的变化量为正,负应力区的电阻R1、R3的变化量为负，即 因此 面 R1 R2 R4 R3 四个电阻位置 面 习 题 1、试计算P型硅、N型硅（1 1 0）晶面内 晶向的纵向压阻系数和横向压阻系数。 2、在晶面为（1 1 0）的圆形硅膜片上，已知有晶向 ，其横向为0 0 1，欲在膜片上扩散出四个P型电阻条，试在圆膜片上画出4个电阻条的位置并组成全桥电路，说明理由。 3、扩散型半导体薄膜固态压阻式传感器和金属应变片式传感器都可以用来测量应力的大小。问两者测量应力时的方法和原理有何异同？ 4、应从哪几个方面对压阻式传感器进行温度补偿？如何从电路上采取措施来改善压阻式传感器的温度漂移问题（用文字展开固态传感器PPt中P 58/76的内容）。 因为二极管PN结温度特性为负，温度每升高1℃，正向压降降低（1.9-2.4）mv. 温度升高，电桥电压增加，计算出所需二极管个数即可。 低温时输出 高温时输出 二极管PN结正向压降的温度系数 温度变化范围 二极管的个数 灵敏度温度漂移 零点温度漂移 58/76 5、求利用弹性模量 的P-Si半导体材料做成的晶向为 、 的半导体应变片的灵敏度系数。 细 型 宽 型· 单位宽度电阻条最大工作电流 设电阻单位面积的的容许功耗为 电阻单位宽度容许通过的电流为 由此可知，电阻上容许通过的电流I除与容许功耗有关外，还与薄层电阻有关 电阻上流过电流时产生热量，电阻的发热会使阻值发生变化直至烧坏电阻。 如果单位面积容许功耗 单位宽度容许的电流如下： 算出 后，即验算外加电压或电流是否容许 薄层电阻 单位宽度容许的电流 四，典型的压阻式传感器 １，压阻式压力传感器 　下图为一常用的压阻式压力传感器结构示意图。敏感元件圆形平膜片采用单晶硅，基于单晶硅材料的压阻效应，利用微电子加工中的扩散工艺在硅膜片上制造压敏电阻。 高压腔 P 硅膜片 低压腔 引线 2、圆平膜片上压敏电阻位置设计 　对于周边固定的平膜片，其上表面的半径ｒ处，径向应力　切向应力　与所承受的压力间ｐ的关系为 单晶硅电阻的压阻效应，有 由上述关系，可得到如下结果 设计膜片压力传感器基础 　前面已分析，P型硅面　　　内，当压敏电阻的纵向与　　的夹角为　时，该电阻的纵向和横向压阻系数为 如果压敏电阻的纵向取圆膜片的径向，即 如果压敏电阻的纵向取圆膜片的切向，即 对比上面两式可知，在单晶硅的　　　面内，如果将Ｐ型压敏电阻分别设置在圆平膜片的径向和切向，则它们的变化是互为相反的，即径向电阻条随压力单调地减小，切向电阻条的电阻随压力单调地增加，且增加量与减小量相等。这一规律为设计压敏电阻条提供了非常好的条件 　　压敏电阻应该设置在压阻效应最显著位置的径向与切向.此时在圆膜片的径向和切向,Ｐ型电阻条的压阻效应可表述为 　　另一方面，上述压阻效应也是电阻条的纵向与方向 夹角的函数。 　　下图给出了电阻的相对变化规律。按此规律即可将电阻条设置于圆膜片的边缘处。这样，沿径向和切向各设置两个P型压敏电阻条。 R1 R4 R2 R3 R1 R3 R2 R4 3、电桥输出电路 据以前的分析有 当没有温度影响或不考虑温度影响时， 恒压源供电电路如图所示 输出与