医用传感器-7程序.ppt

组成： ①SQID本身被封在一个超导屏蔽的小盒内，可对干扰磁场进行部分屏蔽； ②检测线匝，用来探测磁场； ③杜瓦瓶，内盛液氦。 超导量子干涉仪 （Superconducting Quantum Interference Device, 又称SQID磁强计) 灵敏度达 10-15 T (a)为开磁路变磁通式: 线圈、 磁铁静止不动, 测量齿轮安装在被测旋转体上, 随之一起转动。每转动一个齿, 齿的凹凸引起磁路磁阻变化一次, 磁通也就变化一次, 线圈中产生感应电势,其变化频率等于被测转速与测量齿轮齿数的乘积。这种传感器结构简单, 但输出信号较小, 且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速 (b)为闭磁路变磁通式, 它由装在转轴上的内齿轮和外齿轮、永久磁铁和感应线圈组成, 内外齿轮齿数相同。 当转轴连接到被测转轴上时, 外齿轮不动, 内齿轮随被测轴而转动, 内、外齿轮的相对转动使气隙磁阻产生周期性变化, 从而引起磁路中磁通的变化,使线圈内产生周期性变化的感生电动势。显然，感应电势的频率与被测转速成正比 * 当传感器线圈相对于永久磁铁磁场的运动速度增大时, 将产生较大的感生电势E和较大的电流I, 由此而产生的附加磁场方向与原工作磁场方向相反, 减弱了工作磁场的作用, 从而使得传感器的灵敏度随着被测速度的增大而降低 当线圈的运动速度方向相反时, 感生电势E、 线圈感应电流反向, 所产生的附加磁场方向与工作磁场同向, 从而增大了传感器的灵敏度。其结果是线圈运动速度方向不同时, 传感器的灵敏度具有不同的数值 * 正弦波激励：变压器效应干扰 梯形波激励：由于励磁电流变化率减小（与方波比较而言），可有效减小变压器电势，但采样时间间隔相应较小。 低频方波激励 在半个周期内，磁场是恒稳的直流磁场，它具有直流励磁的特点，受电磁干扰影响很小．从整个时间过程看，方波信号又是一个交变的信号，所以它能克服直流励滋易产生的极化现象 * * 2. 电阻 — 温度特性 半导体磁阻元件的温度特性不好。元件的电阻值在不大的温度变化范围内减小的很快。因此，在应用时，一般都要设计温度补偿电路。 温度（℃） 0 20 150 50 40 80 100 电阻（Ω） 100 60 磁敏二极管的P型和N型电极由高阻材料制成，在P、N之间有一个较长的本征区I。本征区I的一面磨成光滑的无复合表面（I区），另一面打毛，设置成高复合区（r区)。 （一）磁敏二极管 二、 磁敏二极管和磁敏三极管 1. 磁敏二极管的结构 + － （a）结构 （b）符号 P+ N+ I区 r区 当磁敏二极管末受到外界磁场作用时，外加正向偏压后，则有大量的空穴从P区通过I区进入N区，同时也有大量电子注入P区，形成电流。只有少量电子和空穴在I区复合掉。 P+ N+ I区 r面 2. 磁敏二极管的工作原理 当磁敏二极管受到外界正向磁场作用时，则电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区偏转，由于r区的电子和空穴复合速度比光滑面I区快，因此，形成的电流因复合而减小，电阻增大。 P+ N+ I区 r面 H+ 当磁敏二极管受到外界反向磁场作用时，电子和空穴受到洛仑兹力的作用而向r区的对面偏移，由于电子和空穴复合率明显变小，因此，电流变大，电阻减小。 P+ N+ I区 r面 H- 利用磁敏二极管在磁场强度的变化下，其电流发生变化，于是就实现磁电转换。 （a） （b） （c） 磁敏二极管工作原理示意图 P+ N+ I区 r面 P+ N+ I区 r面 H+ P+ N+ I区 r面 H- （三）磁敏二极管的主要特性 1.磁电特性：在给定的条件下，磁敏二极 管输出的电压变化与外加磁场的关系。 B / 0.1T 2.0 -1.0 -2.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 1.0 ΔU/V 在弱磁场下(0.1T一下)输出电压与磁场强度成正比，随磁场强度增加，曲线趋于饱和。 2.伏安特性：磁敏二极管正向偏压和通过其电流的关系。 不同磁场强度H作用下，磁敏二极管伏安特性不同 当所加偏压一定时，磁场按正方向增加时，二极管电阻增加，电流减小。 在同一磁场下，电流越大，输出电压越大。 1 3 5 7 9 2 1.5 1 0.5 0 -0.5 -1 -1.5 -2 U(V) I(mA) 3.温度特性：在标准测试条件下，输出电压变化量随温度的变化。 温度升高时，电流急增，电压减少，磁灵敏度下降，须采用温度补偿。 T/