固态化学材料.ppt

参考书 1 无机材料化学（上册）曾人杰，厦门大学出版社，2001年。 2 固体化学导论，苏勉曾，北京大学出版社。 3 固体化学及其应用，苏勉曾等译，复旦大学出版社。 4 固态化学，吕孟凯，山东大学出版社。 反应可逆 氢以原子形式储存，固态储氢，安全可靠 较高的储氢体积密度 a≠b≠c α≠β≠γ≠90° 为什么没有体心单斜点阵 习 题 习 题 习 题 缺 陷 缺陷平衡 固体中的扩散 固相反应 缺 陷 3.3 电子和空穴 ED 导带 价带 它所在的能级叫做施主能级， ED叫施主电离能。 这种以电子导电为主的半导体叫做 n 型半导体。 是一个能给出电子的缺陷，叫做施主缺陷。 ED是使 激发一个电子所需能量。 缺 陷 缺陷平衡 固体中的扩散 固相反应 缺 陷 3.3 电子和空穴 当中性的Ⅲ族元素（如硼）的原子掺入锗晶体中 当将硼原子掺入锗晶体时，可形成取代杂质缺陷BGe。由于硼比锗少一个价电子。从整个晶体来看，价带不能完全充满而缺少一些电子，其数目与BGe的相同，即每有一个取代杂质缺陷就会缺少一个电子，或者说每个取代杂质缺陷附近的价带中都出现一个空穴。 缺 陷 缺陷平衡 固体中的扩散 固相反应 缺 陷 3.3 电子和空穴 导带 受主能级 价带 由于B比Ge少一个正电荷，相当于这个取代杂质缺陷处存在一个负电中心，这个空穴就被缺陷的负电中心松弛地束缚着，使缺陷的能级位于价带顶之上不远处的禁带中。束缚着空穴的缺陷BGe也可以吸收一定的能量而给出一个空穴到价带中去。 缺 陷 缺陷平衡 固体中的扩散 固相反应 缺 陷 3.3 电子和空穴 EA 导带 价带 是一个能接受电子的缺陷，叫做受主缺陷，它所在的能级叫做受主能级， EA叫受主电离能。 这种以空穴导电为主的半导体叫做 p 型半导体。 EA是使 放出一个空穴所需能量 缺 陷 缺陷平衡 固体中的扩散 固相反应 缺 陷 3.3 电子和空穴 锗晶体中掺入Li原子 如果在纯净的锗晶体中掺入锂原子，则锂将进入点阵结构的间隙位置，形成间隙型杂原子缺陷Lii。它是一个正电中心束缚一个电子，这个电子能级远远高于价带中其它电子的能级，而位于禁带最上边，十分靠近导带底的地方。 ??? ?Lii? + e’??? ED=0.0093eV Lii× + ED 缺 陷 缺陷平衡 固体中的扩散 固相反应 缺 陷 3.3 电子和空穴 （1）在真空中加热CdS晶体时形成 在真空中加热CdS晶体时，会有少量的中性 S 原子从点阵结构中失去而形成硫离子空位，即在硫离子正常位置上留下两个被松弛地束缚着的电子。这两个电子能级位于导带底以下靠近导带底的位置，因此很容易被激发到导带中去。VS″是一个能给出电子的缺陷，是施主缺陷。 缺 陷 缺陷平衡 固体中的扩散 固相反应 缺 陷 3.3 电子和空穴 （2）在S蒸气中加热CdS晶体时产生 如在S蒸气中加热CdS晶体，则使晶体中S含量高于化学计量，而产生一些镉离子空位。在这个过程中有两个电子被过量的硫原子夺去。在镉离子的空位留下两个空穴，这两个空穴被松弛地束缚在镉离子的空位上，这两个空穴可从价带中接受一个或两个电子，形成VCd˙和VCd‥两种空位缺陷。由于VCd‥是一种能接收电子的缺陷，是一个受主缺陷，是空位半导体。 缺 陷 缺陷平衡 固体中的扩散 固相反应 缺 陷 3.2.2 物理点缺陷 当缺陷浓度很小时， 因为填隙原子与空位成对出现，故有 ) 2 / exp( ] [ ) / exp( ] [ 0 2 kT G K Ag kT G K Ag K f i f i F D - = \ D - = = · · Ag i i Ag V Ag V Ag ￠ + ? + · 1 ] [ ] [ ? ? Ag Ag Vi ] [ ] [ Ag i V Ag ￠ = · ] ][ [ ] ][ [ i Ag Ag i F V Ag V Ag K ￠ = · Frenkel缺陷： 缺 陷 固体中的扩散 固相反应 缺 陷 3.2.2 物理点缺陷 ￠ ￠ O Mg V V O Mg s s O Mg O Mg + + + ￠ ￠ ? + ·· , 1 mol N N n = 并取 若将缺陷浓度写成 0 V V O Mg + ? ·· 简写： ] [ ] [ ] ][ [ 2 1 K V V V V K s O Mg O Mg s = = ￠ ￠ T ￠ ￠ = ·· ·· K D D ) exp( ] [ ] [ ) exp( 0 KT G K V V KT G K f O Mg f s - = = ￠ ￠ T - = ·· ) 2 e