固体化学第三章固体中的缺陷材料.ppt

此时， Si原子周围上的价电子不需要增加多大的能量就可以容易地来填补B原子周围的空轨道（空穴），这样就在Si的价带上缺少了一个电子而出现一个空穴，而B原子则因接受了一个电子而成为负离子。 Bsix 因能接受电子称作受主点缺陷，空穴电离能称作受主电离能。 含有受主点缺陷的半导体称作P型半导体. Ｂ掺杂Si 形成p型半导体 As掺杂Si 形成n型半导体 S i B S i S i 半导体导电的机理 　　1、本征半导体中受激发产生的导带电子和价带空穴不是完全自由的，它们之间在一定程度上相互关联地形成一个电子空穴对而运动着，构成激子，或者复合而放出能量。 　　2、在杂质半导体中，由缺陷能级受激发产生导带电子或价带空穴，也不是完全自由的，而是准自由的电子或空穴。它们在某种程度上受着缺陷的束缚，即局域在缺陷的附近。这些电子或空穴的导电过程是从一个缺陷原子跳另一个缺陷原子而实现的。故这种导电机制称为跳跃电子模型。 第三节 固 溶 体 定义—— Solvent 溶剂 Solute溶质 　　一个（或几个）组元的原子（化合物）溶入另一个组元的晶格中，而仍保持另一组元的晶格类型的固态晶体。 固溶体 固溶体的形成条件 　　①、结构类型相同； 　　②、化学性质相似； 　　③、置换质点大小相近。 易于形成 固溶体的形成史 　　(1)在晶体生长过程中形成； 　　(2)在溶体析晶时形成； 　　(3)通过烧结过程的原子扩散而形成。 　　① 溶质和溶剂原子占据一个共同的晶体点阵，点阵类型和溶剂的点阵类型相同； 　　② 有一定的成分范围 solid solubility； 　　③ 具有比较明显的金属性质。 结合键主要是金属键 固溶体的基本特征 固溶体形成的热力学分析 　　由? G＝?H－T ? S关系式讨论可知： 　　(1) 溶质原子溶入溶剂晶格内，使?H大大提高——不能生成固溶体。 (2) 溶质原子溶入溶剂晶格内——大大地降低?H ，系统趋向于形成一个有序的新相，即生成化合物。 ? G＝?H－T ? S 　　(3)溶质原子溶入溶剂晶格内——?H没有大的升高，而使熵? S增加，总的能量? G下降或不升高，生成固溶体 。 　　固溶后并不破坏原有晶体的结构。 ? G＝?H－T ? S 　　例如： 　　Al2O3晶体中溶入0.5 ~ 2 Wt%的Cr3+后，由刚玉转变为有激光性能的红宝石； 　　PbTiO3和PbZrO3固溶生成锆钛酸铅压电陶瓷，广泛应用于电子、无损检测、医疗等技术领域。 　　Si3N4和Al2O3之间形成sialon固溶体应用于高温结构材料等。 　　沙隆陶瓷的性质特点： 高温强度大，低温强度小。 　　工业玻璃析晶时，析出组成复杂的相都是简单化合物的SS。 1、固溶体的分类 　　(1) 按溶质原子在溶剂晶格中的位置划分两类： 　　①、间隙型固溶体 　　②、置换型固溶体。 　　置换型固溶体—— 　　　由溶质原子代替一部分溶剂原子而占据着溶剂晶格某些结点位置所组成。 间隙型、置换型固溶体的特点 　　形成间隙型固溶体体积基本不变或略有膨胀； 　　形成置换型固溶体后体积应比基质大。 　　(2) 按溶质原子在溶剂晶体中的溶解度分类 　　①连续型固溶体 　　②有限型固溶体。 特点：对于有限型固溶体，溶质在有限范围内 溶解度随温度升高而增加。 连续型固溶体中两组元素原子置换 (3) 按各组元原子分布的规律性分类: ①、无序固溶体 ② 、有序固溶体 无序固溶体 　　各组元原子的分布是随机的 　　 在热力学处于平衡状态的固溶体中，溶质原子的分布宏观上是均匀的。 　　组元原子在晶体点阵中不是随机分布的，而是出现某种倾向性排列，如异类原子互相吸引形成有规则的排列结构。 Ordering 固溶体的有序化 有序固溶体 当一个与负离子空位相邻的正离子和基质晶格的正离子不同时，还可形成另一类F心（称作FA心）。 三个相邻的F心缔合体称为F3心，两个相邻的F心缔合形成F2心。 如果晶体中存在带负电的正离子空位，则空穴可被其俘获。 正离子空位俘获空穴形成V心。 碱金属卤化物MX的各类色心列于表4-5 碱金属卤化物 MX 的各类色心列于图4-9 缺陷缔合体与光学性质的关系。 碱金属卤化物在相应的碱金属蒸气中加热后，会发生变色。 这是由于晶体内离子的肖特基空位VCl.（又称作?中心）与附着在晶体表面的金属原子电离后所释放出的电子缔合，生成[VCl. + e’]缺陷缔合体。 缺陷缔合体[VCl. + e’]中的电子可吸收可见光而激发到较高的能级状态，所以这种缔合缺陷是一种色中心，称作F中心。 当具有F心的晶体吸收一定波长的光时，缔合电子可被激发到导带（称作光电导现