南京邮电大学微电子导论期末复习讲述.ppt

郭宇锋 2-1用于推导能带论的基本假设有哪些？什么是能带论？用能带论的观点来区分金属、半导体和绝缘体。 2-2载流子的主要输运模式是什么？影响载流子输运的因素有哪些？ 3-1一个硅PN结的掺杂浓度为NA＝3×1015cm-3,ND=5×1015cm-3，（1）若平衡时P型硅一侧的耗尽区宽度为0.9μm，求此时总的耗尽区宽度。（2）若给此PN结施加偏压后，总耗尽区宽度变为1.6 μ m，求P侧和N侧的耗尽区宽度，并判断此时PN结处于正偏还是反偏。 解：（1）由 得： 故： （2）由题意： 两式联立，解得： 因耗尽区变宽，故PN结处于反偏状态。 3-3定义通过基区流入集电结的电流和发射极注入电流之比为电流传输率α，证明： 证明： 3-4共发射极接法晶体管中，基极电流Ib＝20μA，电流传输率α＝0.996，试求此时的发射极电流Ie。 解： 3-5试证明在NMOS工作在深线性区时（VDSVGS-VT），ID和VDS近似满足如下关系： 证明： 3-6试分析P MOSFET的工作机理。 3-6试分析P MOSFET的工作机理。 3-6试分析P MOSFET的工作机理。 3-6试分析P MOSFET的工作机理。 4-1简述光刻的基本过