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§1.2 电光调制 电光调制的物理基础是电光效应。 即:如果在晶体中沿某一方向加一定电压(晶体在外加电场的作用下),则晶体的折射率要发生相应的改变,因而晶体的双折射特性也要改变;那么,当光波通过此介质时,其传输特性就受到影响而改变。 ——电光效应 1.2.1 电光调制的物理基础 非线性 近似线性 静态工作点 1. 纵向电光调制器(电场方向与通光方向一致) T——光的透过率 I/I0和VD 的曲线不是线性关系——易发生畸变,在V?/2附近有一段近似线性部分——波形畸变小。 为获得线性调制,可引入一个固定的π/2相位延迟,使调制器的电压偏置在T=50%的静态工作点上。 如何设置静态工作点? 施加恒定的直流偏压 ; 插入一个四分之一波片,光轴与晶体主轴x成45度角。 加入四分之一波片后总的相位差: 固定相位延迟 电致相位延迟 1. 纵向电光调制器(电场方向与通光方向一致) 原相位差 此时,调制器的透过率: 调制信号电压幅值对线性调制的影响 将T展开成贝塞尔函数的形式: 存在高次谐波分量,使调制光发生畸变 1. 纵向电光调制器(电场方向与通光方向一致) 透过率 设基频波和高次谐波的幅值分别为 和 。有 可见,此时的三次谐波为基波的5%,在这样一个范围内可以获得近似线性调制。 1. 纵向电光调制器(电场方向与通光方向一致) 调制信号电压幅值对线性调制的影响 线性调制判据 若取 线性调制 缺点:半波电压太高,特别是在调制频率较高时,功率损耗比较大。 纵向电光调制器的优缺点: 优点:结构简单、工作稳定、没有自然双折射的影响 1. 纵向电光调制器(电场方向与通光方向一致) 调制信号电压幅值对线性调制的影响 线性调制判据 调制器的透过率: 透过率 此时 2. 横向电光调制器(电场方向与通光方向垂直) 三种不同的运用形式: 沿Z轴方向加电场,通光方向垂直于Z轴,并与X或y轴成45度夹角(晶体为450-Z切割); 沿X轴方向加电场,通光方向垂直于X轴,并于Z轴成45度夹角(晶体为450-X切割); 沿Y轴方向加电场,通光方向垂直于Y轴,并于Z轴成45度夹角(晶体为450-Y切割)。 以KDP类晶体的第一种运用方式为例。 2. 横向电光调制器(电场方向与通光方向垂直) 因为外加电场是沿z轴方向,因此和纵向运用时一样,Ex=Ey=0, Ez=E,晶体的主轴 x, y 旋转45o 至 x’,y’。 外加电压 通过长度为L、厚度为d (两电极间距离)的晶体后,两光波相位差: 相应的三个主折射率: 2. 横向电光调制器(电场方向与通光方向垂直) 由于此时通光方向与z轴垂直,并沿着y方向入射(入射光偏振方向与z轴成450角),进入晶体后将分解为沿x和z方向振动的两个分量,其折射率分别为nx和nz。 晶体本身的自然双折射率引入的延迟相位.与外加电场无关 电致相位延迟 2. 横向电光调制器(电场方向与通光方向垂直) 通过长度为L、厚度为d (两电极间距离)的晶体后,两光波相位差: 与外加电压V和晶体尺寸(L/d)有关.通过选择晶体尺寸,可以降低其半波电压。 KDP晶体横向电光调制的主要缺点 设法消除(补偿)掉! 没有外加电场时,通过晶体的线偏振光的两偏振分量之间就有相位差存在,当晶体因温度变化而引起折射率n0和ne的变化时,两光波的相位差发生漂移。自然双折射的影响会导致调制光发生畸变,甚至使调制器不能工作。 * ——以电光效应为物理基础。 ——某些晶体由于外加电场作用而引起折射率变化的现象,称为“电光效应”。 要想研究外加电场对于晶体折射率的影响,只要弄清楚折射率椭球如何随外加电场而改变就行了。 折射率椭球 其中,x,y,z为介质的主轴方向, 和 在这些方向上是相互平行的; 、 、 为介质的主折射率(折射率椭球半径)。 折射率椭球的两个重要性质: ①折射率椭球任意一条矢径的方向,表示光波矢量 的一个方向,矢径的长度表示 矢量沿矢径方向振动的光波的折射率,因此,折射率椭球的矢径 可以表示为 。 是 矢量方向的单位矢量。 ②从折射率椭球的原点O出发,作平行于给定波法线方向的直线OP,再通过原点O作一平面与OP垂直,该平面与椭球的截线为一个椭圆,椭圆的长轴方向和短轴方向就是对应于波法线方向 的两个允许存在的 矢量( 和 )方向(本振偏振),而长、短半轴的长度分别等于光波的折射率 和 。 折射率椭球 1. 电致折射率变化 在晶体未加外电场时,在折射率主轴(晶体的介电主轴)坐标系中,折射率椭
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