半导体物理_05非平衡载流子.pptVIP

第五章小结 寿命τ 非平衡 载流子 注入(产生) 消失(复合) 准费米能级 光注入 电注入 直接复合 间接复合 表面复合 陷阱 统计 运动 扩散(D) 漂移(μ) 爱因斯坦关系 连续性方程 产生、消失 俄歇复合 对n型半导体： 1、假定EF 、Et的位置如右图所示： Ec Ev Et Et’ EF Ei EF - Ec Ev - EF 、Et - Ec 、Ev - Et n0p0 、n1 、p1 强n性区 2、假定EF 、Et的位置如右图所示： Ec Ev Et Et’ EF Ei Ev - Et EF – Ec、 Ev - EF 、Et - Ec p1 n0 、 p0 、n1 高阻区 对p型半导体： 1、假定EF 、Et的位置如右图所示： Ec Ev Et’ Et EF Ei Ev - EF EF - Ec 、Et - Ec 、Ev - Et p0n0 、n1 、p1 强p性区 2、假定EF 、Et的位置如右图所示： Ec Ev Et’ Et EF Ei Et - Ec EF – Ec、 Ev - EF 、 Ev - Et n1n0 、 p0 、 p1 高阻区 将 代入 得到： 可以假定： 那么， 上式简化为 ch(x)=(ex+e-x)/2是双曲余弦函数，是关于y轴对称的偶函数，在x=0处取得最小值为1。 可见，在Et=Ei时，U能够取得最大值，也即Et向Ei靠近时， U逐渐增大。因此，位于禁带中央附近的深能级是最有效的复合中心。 影响τ的参数： n0、p0——EF；n1、p1——Et(前面已讨论) Nt(定值)，rn、rp与温度T相关，T一定时为定值(具体形式？) 俘获系数rn、rp——温度T VT 复合中心 电子俘获率=rn n(Nt–nt) 空穴俘获率=rppnt 俘获截面：电子σ_；空穴σ+ 复合中心俘获载流子的本领 EC EV Et 复合中心Nt ① ② ③ ④ rn= σ_VT; rp= σ+VT, 代入上式： 实验证明，在Ge中，Mn、Fe、Co、Au、Cu、Ni是有效的复合中心； 在Si中，Au、Cu、Fe、 Mn、In是有效的复合中心； 这些复合中心的俘获截面约在10-13~10-17cm-2量级 理论表明，若在Si中掺Au的浓度为5×1015cm-3，n型与p型硅的间接复合少子寿命分别为： 实验表明，Si中掺Au的浓度从1014cm-3增加到1017cm-3 ，少子寿命约从10-7s线性的减小到10-10s。说明通过控制Au浓度，可以在广泛的范围内改变少数载流子的寿命。 5.4.3 表面复合 5.4 复合理论 一、基本物理概念和物理过程 表面复合——在半导体表面发生的复合过程 物理过程——表面处的杂质和表面特有的缺陷也在禁带中形成复合中 心能级，在表面附近的在载流子就可以通过这些复合中心复合 体内 表面 Ec Ev 表面态，通常都是深能级 有效的复合中心 就复合所发生的物理过程来讲，表面复合仍然是一种间接复合，间接复 合的理论完全可以用来处理表面复合的问题。 二、表面复合概率的求解 表面复合率 表面态（表面深能级） 物理特性非常复杂，理论描述非常困难 一般用实验-理论相结合的方法测定： 实验可测载流子的总寿命τ 体内复合与表面复合的综合结果 定义：τv ：体内复合寿命 1/τv ：体内复合概率 τs ：表面复合寿命 1/τs ：表面复合概率 1/τ：总的复合概率 因此： 根据τ （实验测得）τv （理论计算） 的值可以计算τS 三、表面复合的另一个表征参数——表面复合率 表面复合率：单位时间单位表面积内复合掉的电子—空穴对数，用US表示，量纲cm-2s-1 表面复合速度，量纲cm/s 表面附近载流子浓度，量纲cm-3 表面复合速度可以简单的写为： 实验结果： Ge：s大约在10-2~10-6cm/s Si：s大约在10-3~5×10-3cm/s 较高的表面复合速度，会使更多的注入载流子在表面复合消失，严重影响器件性能。因此在大多数器件生产中，总是希望获得良好而稳定的表面，以尽量降低表面复合速度，从而改善器件性能。 5.4 复合理论 5.4.4 俄歇复合 一、基本物理概念和物理过程 载流子从高能级向低能级跃迁，发生电子-空穴对复合时，把多余的能量传递给另外一个载流子，使这个载流子被激发到更高的能级上去，当它重新跃迁回低能级时，多余的能量常以声子形式放出，这种复合称为俄歇复合。 非辐射复合