半导体物理2013(第五章).ppt

§5.5 陷阱效应 根据间接复合理论，在小注入条件下，能级上的电子数nt是非平衡载流子浓度Δn、Δp的函数，其改变量可写为： 杂质能级上的电子数目变化与非平衡载流子数目有关。 为了方便起见，只考虑非平衡电子浓度△n的影响，得到 §5.5 陷阱效应 研究发现，能产生明显陷阱效应的杂质能级有以下特点： ⒈典型的陷阱对电子和空穴的俘获概率有较大差别，要么是电子陷阱（rnrp），要么是空穴陷阱（rprn）。 ⒉在半导体中有明显陷阱效应的往往是少数载流子的陷阱。 ⒊最有利于陷阱作用的杂质能级位置与平衡时的费米能级相同。 ⒋陷阱的存在大大增长了从非平衡态到平衡态的弛豫时间，即延长了非平衡载流子的寿命。 §5.6 载流子的扩散运动 当半导体中载流子浓度分布不均匀时，载流子会由浓度高的地方向低浓度处定向运动，称为——载流子的扩散运动，这种定向运动会形成扩散电流密度。 N型均匀掺杂的半导体，一侧用适当波长的光均匀照射材料的一面，现在分析非平衡少数载流子的扩散运动情况（一维情况） （空穴）扩散流密度Sp—单位时间通过单位面积的粒子数。 其中Dp为空穴扩散系数，单位cm2/s，它反映了粒子扩散本领的大小。如果考虑电子的扩散运动，则用电子扩散系数Dn。 即电子扩散流密度为： 非平衡载流子的扩散运动引入的扩散电流密度为： 扩散电流密度=载流子的电荷×扩散流密度 所以一维时： §5.6 载流子的扩散运动 一、一维稳定扩散时Δp（x）的分布 如果用恒定的光照射表面，表面处的非平衡载流子浓度将保持(Δp)0不变，最终Δp（x）在半导体内部形成稳定的分布（每个x处的Δp不随时间变化）——稳定扩散。 一维稳定情况下，非平衡少数载流子空穴的变化规律：（稳态扩散方程） 其中 §5.6 载流子的扩散运动 一维稳态扩散方程—— 一维稳定扩散情况下非平衡少数载流子空穴所遵守的扩散方程。 方程的通解为 其中A、B为参数，由边界条件来决定， 一维稳定扩散下电子的扩散方程为： §5.6 载流子的扩散运动 讨论：不同半导体样品时方程的解 1.样品足够厚 因此 另一个边界条件是： 所以此时非平衡载流子的分布形式为： §5.6 载流子的扩散运动 可以看出，非平衡少数载流子从光照表面向内部是指数衰减的。其中的Lp是非平衡子载流子平均扩散距离（扩散长度） 相应的空穴扩散流密度为： §5.6 载流子的扩散运动 2.样品厚度一定（为W） 假设在样品另一端设法将非平衡少数载流子全部引出 边界条件 可得 §5.6 载流子的扩散运动 解此联立方程得 若 则上式简化为： §5.6 载流子的扩散运动 可以看出，此时非平衡载流子在样品内呈线性分布 扩散流密度 这是一种非平衡载流子在样品中扩散时没有复合的情况，晶体管中基区宽度远小于载流子的扩散长度，所以基区非平衡载流子分布符合该情况。 总结 求解一维稳定扩散非平衡载流子的分布，先由非平衡少数载流子的稳态扩散方程，写出其通解形式，通解中的参数将由具体的半导体的边界条件来确定。 §5.6 载流子的扩散运动 §5.4 复合理论§5.4.1 直接复合 大注入条件下： 所以，在Δp变化过程中，寿命τ不再是常数。 但是对Si和Ge这样的半导体，实际测量的寿命比理论计算值低得多，这说明的寿命并不是主要由直接复合来决定。一般在小禁带、直接带隙半导体中，直接复合才是比较重要的复合方式。 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 非平衡载流子可以通过复合中心完成复合，在大多数半导体中，它都是一种最重要的复合过程。 1.通过复合中心的复合过程 用Et表示复合中心能级，用Nt和nt分别表示复合中心浓度和复合中心上的电子浓度。载流子通过复合中心复合和产生包含四种过程，如下图所示。 a.俘获电子过程 b.发射电子过程 c.俘获空穴过程 d.发射空穴过程 ⑴俘获电子的过程（a） 一个电子被俘获的几率与空的复合中心浓度（Nt-nt）和导带电子浓度n成正比。所以，电子的俘获率Rn可以表示为 其中，rn为电子的俘获系数。 Nt复合中心浓度 nt非平衡时复合中心上电子浓度 §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 ⑵发射电子的过程（b） 在一定温度下，每个复合中心上的电子都有一定的几率被激发到导带中的空状态。在非简并情况下，可以认为导带基本上是空的，电子激发概率s-与导带电子浓度无关，而只与复合中心上的电子浓度nt成正比，则电子的产生率Gn可写成： §5.4 复合理论§5.4.2 间接复合 　 在热平衡情况下，电子的产生率和俘获率相等，即 这里，n0和nt0分别是热平衡时