固体物理(第2课)常见晶格结构讲述.ppt

1. 硅圆片工艺 晶片: 只含有极少“缺陷”的单晶硅体。 “切克劳斯基法”生长单晶硅 “切克劳斯基法”:将一块称为籽晶的单晶硅浸入熔融硅中，然后在旋转籽晶的同时缓慢地把其从熔融硅中拉起。结果，就形成圆柱形的大单晶棒。 生长时，可在熔融硅中掺入杂质来获得期望的电阻率 。 直拉单晶硅 Silicon Ingots (400mm) 大单晶棒能切成薄的圆片（wafer） 在大多数CMOS技术中，圆片的电阻率为0.05到0.1Ω?cm，厚度约为500到1000微米。 chip 中科院半导体所研制成功我国最重最长4英寸液封直拉法砷化鎵单晶 中科院半导体所研制成功我国最重最长6英寸液封直拉法砷化鎵单晶 ⅠA 元素周期表 ? Ⅷ A ? H ⅡA 　 ? ⅢA ⅣA ⅤA ⅥA ⅦA He ? Li Be B C N O F Ne ? Na Mg V ⅣB ⅤB ⅥB ⅦB Ⅷ ⅠB ⅡB Al Si P S Cl Ar ? K Ca Ga Ge As Se Br Kr Mn Sc Ti Cr Fe Co Ni Cu Zn ? Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe ? Cs Ba La Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn ? Fr Ra Ac R