数字电路教材.pptVIP

典型的半导体材料 半导体的共价键结构 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净（99.99999％）的半导体单晶体。须在单晶炉中提炼得到。它在物理结构上呈单晶体形态, 绝对零度时，价电子无法挣脱本身原子核束缚，此时本征半导体呈现绝缘体特性。 本征激发 外电场使自由电子导电 杂质半导体 杂质半导体：为了提高半导体的导电能力，人为掺入某 些微量的有用元素作为杂质，称为杂质半导体。在提炼单 晶的过程中一起完成。掺杂是为了显著改变半导体中的自 由电子浓度或空穴浓度，以明显提高半导体的导电性能。 三价元素掺杂——P 型半导体 五价元素掺杂——N 型半导体 P 型半导体 P 型半导体 在本征半导体中掺入微量硼、铟等三价元素。由于掺入量极微，所以硅的原子结构基本不变，只是某些硅原子被杂质替代了。该原子除外层的三个电子与相邻四个硅原子组成共价键结构外，还缺一个电子，留下一个空穴。所以，掺杂后的空穴数已远远地超过由热激发而产生的空穴数。因此，掺入三价元素后半导体中的空穴为多子，它主要由掺杂形成；电子为少子，它仍由热激发形成。称空穴型半导体或P型半导体。当相邻共价键上的电子受热振动或在其他激发条件下获得能量时，就有可能填补这个空位，使硼原子成为不能移动的负离子，因为硼原子在硅晶体中能接受电子，故硼为受主杂质或P型杂质。 N 型半导体 N 型半导体 在本征半导体中掺入磷、砷等五价元素。由于掺入量极微，所以硅的原子结构基本不变，只是某些硅原子被杂质替代了。该原子除外层的四个电子与相邻四个硅原子组成稳定的共价键结构外，仍多出一个电子，所以，掺杂后的电子数已远远地超过由热激发而产生的电子数。因此，掺杂后半导体中电子为多子，主要由掺杂形成，空穴为少子，仍由热激发形成。称电子型半导体或N型半导体。多余的价电子易受热激发而挣脱共价键的束缚成为自由电子，磷原子成为正离子，磷、砷等称为施主杂质或N型杂质。 小结 P型半导体中含有受主杂质，在室温下，受主杂质电离为带正电的空穴和带负电的受主离子。 N型半导体中含有施主杂质，在室温下，施主杂质电离为带负电的电子和带正电的施主离子。 半导体的正负电荷数是相等的,他们的作用互相抵消,因此保持电中性。 掺杂产生的是多子，本征激发产生的是少子。 外加电压才显示出来 外加正向电压： P 区接电源正极，或使 P 区的电位高于N 区。P(＋) N(－) 外加反向电压 ： N 区接电源正极，或使得 N 区的电位高于 P 区。P(－) N(＋) PN结加正向偏置电压（正偏） PN结加反向偏置电压（反偏） PN结的单向导电性 PN结正偏时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻； PN结导通 PN结反偏时，仅有很小的反向漂移电流，呈现高电阻。 PN结截止 ∴ PN结具有单向导电性。 PN结的伏安特性---以硅二极管的PN结为例 PN结的反向击穿的物理本质 * 3.1 半导体的基本知识 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性 元素 硅（Si）、锗（Ge） 化合物 砷化镓（GaAs） 掺杂元素 硼（B）、磷（P） 3.1 半导体的基本知识 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间，当受外界光和热刺激或加入微量掺杂,导电能力显著增加。 晶体结构，邻近原子之间由共价键联结。 本征半导体的导电机制： 本征激发＋外电场使自由电子导电 在室温下，热激发或光照使价电子获得挣脱共价键束缚的能量，成为 自由电子，同时共价键中留下一个空穴。空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。 自由电子和空穴总是成对出现，称为电子空穴对。 自由电子和空穴统称为载流子。 出现空穴后，在外加电场作用下，共价键中的价电子就较易填补到这个空位上，过程的持续进行，相当于空穴在晶体中移动（电荷迁移）。空穴的移动方向和电子移动方向是相反的,因而可用空穴移动产生的电流来代表束缚电子移动产生的电流。 自由电子受原子核的吸引还可能重新回到共价键中，称为复合。在一定温度下，电子空穴对的热激发与复合达到动态平衡，电子空穴对维持一定的浓度。 在产生空穴的同时并不产生自由电子 半导体材料－本征半导体结构－半导体掺杂 半导体的导电机制－自由电子、空穴 多数载流子（多子）、少数载流子（少子） 本节中的有关概念 掺杂半导体－N型半导体、P型半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应* 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动：