半导体基础知识研究报告.pptVIP

第一章 常用半导体器件 §1 半导体基础知识 一、本征半导体 2、本征半导体的结构 3、本征半导体中的两种载流子 二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 PN 结的形成 PN 结的单向导电性 四、PN 结的电容效应 问题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 为什么半导体器件有最高工作频率？ §2 半导体二极管（Diode） 一、二极管的组成 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 利用Multisim测试二极管伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 三、二极管的等效电路 2. 微变等效电路 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 讨论：解决两个问题 如何判断二极管的工作状态？ 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ 二极管的击穿p16 齐纳击穿：高掺杂时，耗尽层窄，不大的反向电压直接破坏共价键使电流激增 雪崩击穿：低掺杂，较大的反向电压使耗尽层的少子加快漂移，与共价键中的价电子相碰，把价电子撞出共价键，产生电子空穴对，又经电场加速，又撞出其他价电子，载流子雪崩式的激增 五、稳压二极管(Zener diode，ZD，齐纳二极管) 其他二极管 发光二极管(light-emitting diode, LED ) 光电二极管（Photo-Diode） §1.3 晶体三极管(Transistor ) 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 讨论一 §1.4 场效应管(Field Effect Transistor，FET ) 1. Uds=0,UGS对导电沟道的控制作用 2. UGS为一固定值（ UGS（off） ~0），Uds对漏极电流iD的影响, 绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件 与结型FET管相比：栅-源电阻大于1010Ω，温度稳定性更好，集成化工艺简单，广泛应用于超大规模集成电路。 分为增强型和耗尽型，分别又有N沟道和P沟道两类。 以N沟道增强型为例。在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。 1．直流参数 (1) 开启电压UGS(th) (2) 夹断电压UGS(off) (3) 饱和漏极电流IDSS (4) 直流输入电阻RGS(DC) 2. 交流参数 跨导gm (2) 极间电容 3.极限参数 漏极最大允许耗散功率PDM (2) 漏极击穿电压 (3) 最大漏极电流IDM 场效应管和晶体管比较 §1.5 单结晶体管(UJT)和晶闸管( Thyristor) 集成电路工艺 穿透电流 集电结反向电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥ Uon 放大 VCC ICEO ＜Uon 截止 uCE iC uBE 状态 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。 2.7 uCE=1V时的iC就是ICM U（BR）CEO 一、结型场