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DPA 分 析 手 法 一.目的： 1.維持晶片元件產品之製程品質，以其達到事前預防及改善目地。 二.適用範圍/權責： 1. 燒結後半成品/責任單位:IPQC。 2. 電鍍後成品/責任單位:FQC。 3. FA樣品/責任單位:QA/FA組。 三. 參考資料：DPA剖面分析檢驗標準 四. 定義：DPA:Destructive Physical Analysis 五. 內容： 1. 使用材料： 1.1 壓克力粉：South Bay tech 公司之”Fast cure Acrylic ”或同等規格品。 1.2 硬化劑溶劑：South Bay tech 公司之” Acrylic Liguic”或同等規格品。 2.作業分解： 2.1 動作流程分為：〔樣品準備〕、〔研磨〕、〔拋光〕。 3.動作說明：　　　 3.1 樣品準備： 3.1.1 撕下適當長度之雙面膠帶粘貼於樣品裝載容器蓋上數排。 3.1.2 把所取之樣本依分析之需求(1.X 軸方向 即晶粒寬厚面向下﹐ 2.Y 軸方向 即長寬面向下)將晶粒以鑷子一粒粒黏貼於膠帶上排列整齊, 需有間距及記號。 3.1.3 將空的樣品裝載容器平的一端以反蓋方式套入容器蓋中。 3.1.4 以標準杓取壓克力粉末放入紙杯中再將硬化劑液體(約１:２比例)，倒入紙杯 中並攪拌均勻約15秒鐘左右。 3.1.5 將紙杯中液體倒入裝載容器內(為了避免產生氣泡﹐最好先在桌面振蕩裝載容器3~5下)﹐ 約２０～３０分鐘靜置後當壓克力由液體變成固態後，即將半透明壓克力取出。　　　　　　　　 3.1.6 清除裝載容器殘屑並收拾台面以保持清潔。 3.2 研磨： 3.2.1 在研磨盤上放置適當之砂紙(研磨由#180→#320→#600→#1200→#1500→#2000　先粗後細) 打開水源放置於欲研磨區域。 3.2.2 研磨時先將試件周緣磨圓使之無銳角(防止傷害人員手指), 再將正反兩面及側面磨平, 再依先粗後細原則將正面逐漸磨細表面。 3.2.3 研磨方式﹕每道砂紙研磨時要不斷將樣本旋轉90?,同一方向研磨﹐將 刮痕有效去除。 3.2.4 磨細過程施力須保持平均, 微用力, 並注意表面殘留之刮痕痕跡(必要時以顯微鏡觀察)務必在拋光前消除此痕跡。 3.3 拋光： 　　　　 3.3.1 研磨後試件再進行拋光,使用拋光布或鑽石膏塗在試件表面上進行拋光(使用不同液膏必須配合不同拋光盤), 且換規格必須先以清水清洗試件表面, 拋光進行中必須不時以潤滑液加以潤滑, 直至拋光到試件表面平滑光亮。 4 注意事項： 　　 4.1 研磨時初學人員可以貼上護指繃帶防止手指受傷。 4.2 配硬化劑, 要置於通風良好之環境中。 4.3 注日硬化劑於試樣容器須注意勿使產生氣泡。 4.4 拋光時要與拋光盤旋轉方向相反﹐即逆時針。 　　　　　 六. 以上動作完畢后即可在金相顯微鏡下進行觀察。(見下頁金相顯微鏡組簡易操作) 金 相 顯 微 鏡 組 簡 易 操 作 一. 開機作業 1.Transformer (TGH)開關(圖-I)扳至ON位置,漸近方式轉動(順時針為增量)Voltage Adjustonent Knob(圖-G)依實物狀態調電燈亮度。 2. 利用Half-mirror Selector Knob(圖-K)依使用者所需選擇明區(bright field)(向右)或暗區(dark field) (向左)。 3. 將被觀察物置於長方型金屬載板上,再以左側彎型夾固定。 4. 以位移轉鈕(圖-F)(X軸向:下鈕順時針基座向左移Y軸向:上鈕順時針基座向后移)轉動試片(被觀 察物)至光源下以利觀察。 5. 轉動粗節輪(圖-E)(即外圈)右手順時針基座即上升,待看到粗略影像時,再利用細調輪(圖-D) (即內圈)調整焦距直至清晰影像出現為止。 6. 依所需倍率(目鏡固定為10倍,物鏡則有5倍至100倍)轉動物鏡盤座(圖-J)時針依序為5倍至 100倍)。 7. 自動照相機 7.1 將電源控制器(圖-A)打開(ON)此時（圖-B