晶体结合键及生长热力学基础剖析.pptVIP

本章的主要内容 简单说明晶体结构（布拉菲点阵，32点群，230空间群，X射线等） 晶体的结合键 晶体生长的热力学基础 相变及分类 三种相变的热力学条件 晶体生长形核方式 晶体生长的界面 晶体的外形 固相相变： 图形外延－在激光照射下完成的微晶硅向单晶硅薄膜转变的固-固相转变的过程，完成晶体的生长 液相相变：包括溶液生长和熔体生长——盐水溶液结晶为食盐；砷化稼液相外延；锗，硅和砷化稼的熔体生长等 气相相变：由气相向晶相转变的气-固相变过程；气体凝华过程(水汽凝结成冰晶)；化学气相沉积(CVD)的硅外延等 当r较小时，ΔGs占优势，体系的自由能ΔG增加，达到极大值ΔG*； 随后,当r继续增大时,ΔGv占优势, ΔG下降 与ΔG*相对应的晶胚半径r*，称为临界半径 r*,ΔG*的大小与Δgv成反比，而Δgv的大小又与体系的过冷度决定。当体系的过冷度和过饱和度大，相应的Δgv就大( )，进而造成r*, ΔG*的小 在生长单晶时，希望r*尽可能大，则要求过饱和度，过冷度尽量小；反之，有些晶体生长需要得到微晶，则要求过饱和度大一些，易生成小晶粒 α相为旧的液相；β相为新生成冠状相；s相为杂质固相；r为β相晶核曲率半径；θ为晶核与固相平面的接触角 在晶核稳定时，各个界面之间张力达到平衡，在三相交点上必然达到静力学平衡，这时θ为常数，所以f（