电缆连接线的屏蔽效果比较.docVIP

电缆线的Ω，负载端阻抗为1MΩ。测试用干扰信号为100kHz的磁场信号。 连接（A）：传输线为单芯屏蔽线，屏蔽层不与源端和负载端连接，源端和负载端均接本地地。以这种连接方式作为参照基准，其相对屏蔽效能为0dB。 连接（B）：传输线为单芯屏蔽线，屏蔽层不与源端连接，但和负载端地连接，源端和负载端均接本地地。其相对屏蔽效能为0dB。 连接（C）：传输线为单芯屏蔽线，屏蔽层与源端和负载端地连接，源端和负载端均接本地地。其相对屏蔽效能为27dB。 连接（D）：传输线为双绞线，其一线在源端和负载端均接地，源端和负载端均接本地地。双绞线在本身具有磁屏蔽作用，但由于地环路存在使总的磁屏蔽效能下降，其相对屏蔽效能只有13dB。 连接（E）：传输线为屏蔽双绞线，屏蔽层在负载端单端接地，源端和负载端均接本地地。虽然屏蔽层起到电场屏蔽作用，但并没有增加磁屏蔽效果，所以其相对屏蔽效能仍为13dB。 连接（F）：传输线为屏蔽双绞线，屏蔽层在源端和负载端均接地，源端和负载端均接本地地。由于屏蔽层的阻抗比信号线低，因此分流了很大一部分地环路噪声电流，从而增加了磁屏蔽效能，其屏蔽效能为28dB。如果干扰频率大于1MHz，地环路噪声电流在屏蔽层外表面流动，这将进一步提高磁屏蔽作用。 由图35 a可知，在电路两端都接地的情况下图（C）和图（F）所示的磁屏蔽效能比其他方式高。由于屏蔽层两端接地，具有磁屏蔽作用，只是在地环路的影响下磁屏蔽效能不会很大。如果频率升高达f＞1MHz时，磁屏蔽效能将有很大增加，因为同轴电缆和屏蔽双绞线地环路的影响很小。如果频率降低到10kHz以下，则磁屏蔽作用大大下降。所以图（C）和图（F）所示只适合于高频运用。 图35 a分析的是电路两端接地的情况，其缺点是地环路会减小磁屏蔽效能，特别是低频时影响更严重。如果电路是负载端单端接地则磁屏蔽效能可以大幅度增加，结果由图35b给出。 连接（G）：传输线为单芯屏蔽线，屏蔽层与源端连接和负载端连接，负载端接本地地。这时不存在地环路，所以没有地环路影响。外界磁场能穿过的环路面积只有屏蔽层与芯线之间很小的面积，因为屏蔽层可以看作是在其中心轴上放置的一根等效导线，而这根等效导线是非常靠近芯线的。这时的相对屏蔽效能可达80dB，与图（C）所示的电路两端接地时比较提高了53dB。 连接（H）：传输线为双绞线，连接（I）：传输线为屏蔽双绞线，都是电路单点接地，屏蔽层也是单点接地。双绞线本身具有磁屏蔽性能，在没有地环路影响下充分发挥了它的磁屏蔽作用，双绞线可达55dB，屏蔽双绞线可达70dB。这里屏蔽效能比较的试验装置中仍有一定的电场耦合，而双绞线是没有电场屏蔽性能的，只有屏蔽双绞线才具备电场屏蔽性能。因此，连接（I）比连接（H）具有更高的屏蔽效能。此外比较连接（I）与连接（G），可知同轴电缆磁屏蔽效果比屏蔽双绞线好，这是因为同轴电缆对磁场呈现的环路面积比双绞线更小。当然如果进一步增加双绞线的单位长度的绞合数则双绞线的磁屏蔽效能也会增加。 在实际应用中低频磁屏蔽电路常优选连接（I）所示的屏蔽双绞线，而不是连接（G）所示的同轴电缆。这是因为连接（I）所示的屏蔽层不是信号电路的一部分，仅是起到电场屏蔽作用，而连接（G）中同轴电缆的屏蔽层有信号回流流过。 连接（J）：传输线为屏蔽双绞线，屏蔽双绞线的屏蔽层两端接地，这可能降低一些磁屏蔽效能。因为屏蔽层形成了地环路，噪声电流在屏蔽层流动时会在内部两根线上产生感应电压，如果内部两根线对屏蔽层有不平衡处，则两根线上的感应电压就不可能完全抵消，从而产生干扰。这种方式测得的磁屏蔽效能为63dB。 连接（K）：传输线为屏蔽双绞线，屏蔽层与源端相连，并在负载端接地，其屏蔽效能比连接（I）高一些，为77dB。这种连接方式结合了连接（I）和连接（G）的特点。但是这种方式并不常用，因为万一由于某种原因屏蔽层上感染上噪声就可能流入信号线，因此屏蔽层与信号线还是在一点连接为好。 由图35 b可知在电路单端接地时采用连接（G）和连接（I）可以得到较高的磁屏蔽效能，实际运用中这两种方式也最普遍。 图35 电缆线连接的屏蔽效果比较