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MOSFET结构及工作原理，动态特性： MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。 MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。电路符号如下图所示： 下图1是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la)，在其面上扩散了两个N型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅绝缘层(图lc)，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，如图1d所示。 从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。 通常，漏极D与电源正极连接，源极与电源负极连接。在未加栅极电压时，漏极与源极的沟道有两个背靠背的PN结，所以漏极电流几乎为零。 当栅极G与源极之间加上正电压但是，金属栅极被充电而聚集起正电荷，正电荷建立起的电场排斥靠近SIO2底面下的P型半导体中的空穴，形成耗尽层。如果栅极电压进一步加大，直到VGS=VT(开启电压)时，由于电场足够强，不仅会把P型半导体表面的空穴赶走，，而且还会吸引一定数量的电子聚集在两个N区之间。VGS越大，积累的电子越多。这种作用使得与SIO2交界面处的衬底由P型转化为N型，这个感应生成的N型半导体薄层称为反型层。由于反型层的出现，使得原来的PN结消失，并且在漏极与源极之间搭建起N型导电沟道。这时在漏极电压VＤS的作用下，电子就会自源极经沟道电阻流向漏极，使外电路中产生的漏极电流ID．VGS越大，感应生成的Ｎ型导电沟道越深，因而ＩＤ越大，因此称之为Ｎ型导电沟道增强型MOS场效应管. 当VGSVT时，导电沟道已经形成。在ＤＳ间外加正向电压VDS后，漏极电流ID沿沟道产生电压降，使沟道上各点与栅极之间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中正电荷电场的作用，使沟道从源极到漏极逐渐变窄。当VDS增大到某一数值VDSS，夹断区向源极方向延伸，而夹断沟道电流达到饱和不再变化。 下图2为N沟道增强型MOS管特性曲线 图2： ①可变电阻区，在该区里VDS比较小，沟通电阻随栅压VGS而改变，故称为可变电阻区。当栅压一定时，沟通电阻为定值，ID随VDS近似线性增大，当VGS＜VT时，漏源极间电阻很大(关断)。ID=0；当VGS=0时，漏源极间电阻很小(导通),ID=IDSS。这一特性使场效应管具有开关作用。②饱和区，当漏极电压VDS继续增大到VDS＞|VT|时，漏极电流，ID达到了饱和值后基本保持不变，在这里，对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线，即ID与VGS成线性关系，故又称线性放大区。③击穿区如果VDS继续增加，以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿，漏极电流将ID突然增大。