10级大学物理规范作业上册解答.ppt

* 由单缝衍射暗纹条件 零级主极大与一级衍射暗纹相距: 零级主极大与一级主极大相距： I 一级衍射暗纹 y /cm * 4.在观察单缝夫琅和费衍射时，如果单缝垂直于它后面的透镜的光轴向上或向下移动，屏上衍射图样______改变（填有或没有）；若将线光源S垂直于光轴向下或向上移动，屏上衍射图样________改变（填有或没有）。 解：如果单缝垂直于它后面的透镜的光轴上下移动。由于光源位置未变，入射光仍正入射在单缝上，所以到达观察屏上的光线的光程差仍只由衍射角?决定。由于透镜的作用，中央亮纹仍出现在透镜主焦点处，即?=0处。所以衍射图样不变。 如果将光源垂直于光轴上下移动。由于光源的移动，使得屏上边缘光线光程差为零的点不再是透镜主焦点处，从而造成衍射图样的整体移动。光源向下移动时，图样整体向上移动，光源向上移动时，衍射图样将整体向下移动。 没有 有 * 5.一束光入射到两种透明介质的分界面上时，发现只有透射光而无反射光，这束光是怎样入射的？___________________________________。其偏振状态如何？________________________。 以布儒斯特角入射到分界面 偏振方向平行入射面 解：自然光入射到两种透明介质的分界面上时，反射光和入射光都是部分偏振光。 根据题意易判断：所有入射光的振动方向都平行入射面，且以布儒斯特角入射到介质分界面上。 但当自然光以布儒斯特角入射到两种透明介质的分界面时，反射光的振动方向垂直于入射面。即振动方向平行入射面的光线全部透过分界面而不会被反射。 * 二、计算题 1.在制造半导体元件时常常需要在硅片上均匀涂上一层二氧化硅薄膜，已知硅片的折射率 ,二氧化硅的折射率 ，如在白光（400nm —700nm）照射下，垂直方向上发现反射光中只有420nm的紫光和630nm的红光被加强了。（1）求二氧化硅薄膜的厚度；（2）问在反射光方向上哪些光因干涉而相消。 SiO2 Si d 解：（1）由于二氧化硅薄膜上、下表面反射时都有半波损失，所以对反射光?1=420nm和?2=630nm加强的条件分别为： * （2）干涉相消条件为 在可见光范围内k只能取2，得： 即反射光部分只有504nm的光因干涉而相消 。 SiO2 Si d * 2.在一块光学平玻璃片B上，端正地放一顶角很大的圆锥形平凸透镜A，在A、B间形成劈尖角?很小的空气薄层，如图所示，当波长为?的单色平行光垂直地射向平凸透镜时，可以观察到在透镜锥面上出现干涉条纹。（1）画出干涉条纹的大致分布并说明其主要特征；（2）计算明暗条纹的位置。 A B ? 解：（1）条纹是以A与B的接触点为圆心的等间距的同心圆，且圆心处为暗斑。 （2） * 3.在宽度b=0.05mm的单缝后透镜焦距f=0.8m处有一屏幕，现将白光垂直照射在单缝上，在屏幕上形成彩色衍射条纹，试问在离中央明纹上方x=1.6cm的P点处，哪些波长的光相消？哪些波长的光加强？这些光波就P点的方位而言，在狭缝处的波阵面可划分成多少个半波带？ 解：单缝夫琅禾费衍射暗纹条件为： b f O xp P x 在可见光400nm－760nm范围内，k只能取2， 所以在p处相消的光的波长为： * 对p而言，500nm的光波在狭缝处可分为2k＝2×2＝4个半波带。 单缝夫琅禾费衍射明纹条件为 这两波长的光波都能在p处得到加强，相应在狭缝处的半波带数是（2k＋1）个，即分别为3个半波带和5个半波带。 在可见光范围内k只能取1和2， 代入上式分别得：?1 =667nm和?2 =400nm， * 4.一双缝，缝间距d=0.10mm，缝宽a=0.02mm，用波长?=480nm的平行单色光垂直入射该双缝，双缝后放一焦距为50cm的透镜，试求：（1）透镜焦平面处屏上干涉条纹的间距；（2）单缝衍射中央亮纹的宽度；（3）单缝衍射的中央包线内有多少条干涉的主极大。 解：（1）主极大条件为 （2）单缝衍射中央亮纹宽度为： 干涉条纹的间距为： * （3）因为单缝衍射中央亮纹宽度为两个第一级暗纹之间的距离。 则第一级暗纹到中央明纹的距离为： 主极大条件为 将x1代入，解得： 即第五级缺级(此处恰好为单缝衍射第一级暗纹位置) 所以单缝衍射中央明纹区域内的主极大数为9条，对应的主极大级数为：0，?1，?2，?3，?4。 * 5. 单色平行光波长?=500nm，垂直入射到透射平面光栅上，在与光栅法线成30o角的方向上观察到第二级谱线。（1）该光栅每毫米有多少条刻痕？（2）若改变平行光束的波长，以入射角?=30o入射至此光栅栏上，在屏上最多能观察到5级谱线，问此波长为多少？ 解:（1）根据光栅方程 （2）根据光栅方程 *