wym固体中的电子剖析.pptVIP

第十三章 固体中的电子 (Electrons in Solids) 内容 固体的能带结构 半导体 §13.1 固体的能带 (Energy Bands in Solids) 晶体 准晶体 非晶体 固体 晶体结构＝点阵＋基元 ⒈能带的由来 * 先看两个原子的情况 . Mg . Mg 能级 分裂为两条 1s 2s 2p 3s 3p 1s 2s 2p 3s 3p 空带 价带 原子间的相互作用 ? 原子的能级分裂成能带. e.g. 1s 2s 2p ⒉电子对能带的填充 ——服从泡利不相容原理和能量最低原理. ⑴满带(filled band)——所有量子态都被电子占据的能带. ⑵空带(empty band)——所有量子态都没有被电子占据的能带. (4)价带(valence band)——由原子中价电子能级分裂成的能带. 价带可能是满带(例如金刚石)，也可能不是满带(例如碱金属). (3)禁带(forbidden band)——两相邻能带间，不能被电子占据的能量范围. 能带理论指出：若电子处于未被填满的能带中，则在外电场作用下，电子可以跃入能带中较高的空能级，从而参与导电. 通常，未被填满的价带是导带；位于满带上方的空带，在外界(光、热等)激发下，会有电子跃入，也称为导带. (5)导带(conduction band)——具有能导电的电子的最高能带. 禁带 空带(导带) 禁带 满带 价带(满带) 能带分布： 满带 空带 禁带 禁带 E 价带(导带) ⒊能带论对固体导电性的解释 导体——电阻率 ? 10-8 ??m 半导体——10-8 ??m ? 108 ??m 绝缘体——? 108 ??m 能带论的解释： ⑴导体中，或是价带未被填满，或是价带与上方的空带交叠. ? 价电子都能参与导电 ? 导体有良好的导电性能. 空带(导带) 禁带 满带 价带(满带) 导体能带分布： 满带 空带 禁带 禁带 E 价带(导带) ⑵半导体中，价带已满，但上面的禁带宽度较小(~1eV). 在常温下有一定数量的电子从价带跃入上方的空带，能参与导电. 但导电电子数密度(~1016/m3)远小于导体中的值(~1028/m3) ? 导电性能不及导体. 空带(导带) 价带(满带) E ⑶绝缘体中，价带已满，且上面的禁带宽度较大(～5eV). 在常温下只有极少数电子能从价带跃入上方的空带 ? 导电电子数密度极小 ? 导电性能很差. 空带(导带) 价带(满带) E §13.2 半导体 (Semiconductors) ⒈两种导电机制 在常温下，有部分价电子从满带跃入上方的空带，从而在满带中留下一 些空的量子态——空穴(hole). 跃入空带中的电子可参与导电——电子导电；留在满带中的电子也可参与导电，可用“带正电的空穴”的运动来描绘——空穴导电. 纯净(本征)半导体：导带中的电子数等于满带中的空穴数. ⒉杂质的影响 杂质半导体分为两类: ⑴电子型(N型)半导体 ——掺有施主杂质，以电子为多数载流子的半导体. (N——negative) 施主(donor)杂质：进入晶格，与周围基质原子形成晶体原有的电子结构后，尚有多余价电子. e.g. 在四价元素半导体(Si, Ge)中掺入五价杂质(P, As) ——施主杂质. 掺入施主杂质后, 在价带上面的禁带中靠近导带(?E~10-2eV)处, 出现杂质能级——施主能级. 常温下 E 价带 导带 低温下 施主能级 常温下，施主能级上的电子很容易跃入导带，相对说来，从价带跃入导带的电子数很少 ? 导带中的电子数远多于价带中的空穴数 ? 在N型半导体中，电子是多数载流子(majority carrier，简称多子)，而空穴是少数载流子(minority carrier，简称少子). ⑵空穴型(P型)半导体 ——掺有受主杂质，以空穴为多数载流子的半导体. (P——positive) 受主(acceptor)杂质：进入晶格，与周围基质原子形成晶体原有的电子结构时，缺少价电子. e.g. 在四价元素半导体(Si, Ge)中掺入三价杂质(B, Al)——受主杂质. 掺入受主杂质后，在价带上面的禁带中靠近价带(?E~10-2eV)处，出现杂质能级——受主能级. 常温下 E 价带 导带 低温下 受主能级 常温下，价带中的电子很容易跃入受主能级，相对说来，跃入导带的电子数很少 ? 价带中的空穴数远多于导带中的电子数 ? 在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子. ⒊外场的影响 ⑴热激发 温度? ?跃迁电子数? ?载流子数? ?电阻?. 应用：热敏电阻器(thermistor). 金属 R T 半导体 o