光电检测技术与应用-4半导体光电检测器件应用.pptVIP

阴极接负高压； 各倍增极的加速电压由直流高压电源经分压电阻分压供给； 灵敏检流计或负载电阻接在阳极A处。 阴极通常由逸出功较小的锑铯(se)或钠钾锑铯的薄膜组成. 五、光电倍增管 结构和工作原理： 阴极K、倍增极Di、阳极A 光照使阴极K发射光电子； 在K和D1之间的电场作用下，光电子被加速后轰击第一个倍增极D1，从而使D1产生二次电子发射。每一个电子的轰击约可产生3～5个二次电子； 五、光电倍增管 结构和工作原理： D1产生的二次电子被D2和D1之间的电场加速后轰击D2，这样的过程一直持续到最后一级倍增极Dn，每经过一级倍增极，电子数目便被放大一次，倍增极的数目有8～13个，这样就实现了电子数目的放大。 最后一级倍增极Dn发射的二次电子被阳极A收集，其电子数目可达光阴极K发射光电子数的106倍以上。 灵敏检流计或负载电阻接在阳极A处，则可直接测量阳极输出电流．若在阳极串接电阻RL作为负载，则可测量RL两端的电压，此电压正比于阳极电流。 五、光电倍增管 光电倍增管应用 1. 光谱测量 光电倍增管可测量光源在一定波长范围内的辐射功率。 用于过程控制、元素鉴定、化学分析和冶金分析仪器。 2. 极微弱光信号的探测——光子计数 光电倍增管的放大倍数很高，常用来进行光子计数。 五、光电倍增管 光子计数器的原理： 光子计数系统是理想的微弱光探测器，可以探测光子水平的极微弱光。 国外不仅可以探测单光子的强度，还可以探测其位置，使得光子成像技术成为现实。 光子计数器原理 五、光电倍增管 光敏电阻 六、总结 光电检测器件 光敏二极管 光敏三极管 光生伏特器件（光电池） 光电管和光电倍增管 谢 谢！ * * 实际使用中可以根据光源性质来选择光电池，反之，也可根据现有的光电地来选择光源。 * 实验证明，光敏三极管的截止频率和它的基区厚度成反比关系。如果要求截止频率高，那么基区就要薄；但基区变薄，光电灵敏度将降低，在制造时要适当兼顾两者。 （4）温度特性（通常的测试指标在室温下进行） 是指开路电压和短路电流随温度变化的关系。 20 0 40 60 90 40 60 UOC/ mV T / oC ISC UOC ISC / μA 600 400 200 UOC—开路电压 ISC —短路电流 硅光电池在1000lx照度下的温度特性曲线 温度影响光电池的温度漂移 作为测量元件时，最好保持温度恒定，或采取补偿措施。 1.2. 光电池的特性参数 两种典型应用 （1）光伏器件—太阳能电池。 探索新能源、美—开普勒号（类地行星、生命迹象） 目前太阳能电池成本不能与常规能源竞争 成本会逐渐下降 电源：硅光电池组+镍镉蓄电池 （2）光电转换器件 灵敏度高、响应时间短、特殊制造工艺 用于光电检测和自动控制系统中 1.3. 光电池的应用 三、 光敏二极管和光敏三极管 2CU系列：N-Si衬底、两条引线 2DU系列：P-Si衬底、三条引线 硅光电二极管 光电二极管 1.光敏二极管 一个结面积小的PN结（光电池的结面积大） 频率特性特好 有硅、锗、砷化镓、锑化铟光电二极管等多种。 在电路中处于反向工作状态 光电池与光电二极管：书P35，上面一段文字 P N 光 光敏二极管符号 RL 光 P N 光敏二极管接线 ? 1.光敏二极管 ★ 没有光照射时（如同普通二极管反向）： 反向电阻很大，反向电流很小，光敏二极管为截止状态； 只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层形成微小的反向电流，即暗电流； ★ 受光照射时： PN结吸收光子能量，产生电子-空穴对，使P区和N区的少数载流子浓度大大增加； 在外加反向偏压和内电场的作用下， P区的少数载流子渡越阻挡层进入N区， N区的少数载流子渡越阻挡层进入P区，使通过PN结的反向电流大为增加，形成光电流。 1.1.光敏二极管的工作原理 光敏二极管的光照特性（光电流 I 与照度）呈线性关系，适合检测。 PIN管结光电二极管 结构特点： 在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体I。 P-Si N-Si I-Si PIN管结构示意图 1.1.光敏二极管的工作原理 特点： ★ 频带宽，可达10GHz： PN结的内电场就