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蓝光LED发光效率研究 小组成员： 张天一 201421240310 许剑华 201422240316 孟一心 201421240308 目录 蓝光LED简介 1 提高LED发光效率方式 2 ZnO 纳米阵列增强大功率蓝光 LED 出光效率的研究 3 微纳米结构增强蓝光LED发光效率的研究 4 1、蓝光LED简介 蓝光LED就是发蓝颜色光的发光二极管 特点：节能、寿命长、亮度高 构成原理：电子和空穴之间的能量（带隙）越大，产生的光子的能量就越高。光子的能量反过来与光的颜色对应，由于不同的材料具有不同的带隙，从而能够发出不同颜色的光。 2014年度诺贝尔物理学奖授予日本名古屋大学的赤崎勇，天野浩以及美国加州大学圣巴巴拉分校的中村修二，以表彰他们在发明一种新型高效节能光源方面的贡献，即蓝色发光二极管(LED)。 2、提高LED发光效率方式 2.1改变芯片外形的技术 改变光线的传输方向，使光从正面射出，光亮度更为集中，从而亮度获得提升。如此一来，便可增加光的侧壁全反射机率，其结果如图所示。这样便可使器件的发光亮度更为集中，从而亮度获得提升 2.2倒装芯片技术 Lumileds公司报道，采用倒装焊技术在大功率AlInGaN基芯片上的应用，避免了电极焊点和引线对出光效率的影响，改善了电流扩散性和散热性，背反射膜的制备将传向下方的光反射回出光的蓝宝石一方，进一步提升出光效率，外量子效率达21％，功率换效率达20％(20mA，435nm)，最大功率达至400mW(驱动电流1A，435nm，芯片尺寸lmm*lmm)，其总体发光效率比正装增加1.6倍。 2.3生长分布布拉格反射层(DBR)结构 通过外延技术生长具DBR层的GaN基芯片，DBR是两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，它在有源层和衬底之间，能够将射向衬底的光反射回表面或侧面，可以减少衬底对光的吸收，提高出光效率。 2.4表面粗糙化技术 表面粗糙化主要是将那些满足全反射定律的光改变方向，继而在另一表面或反射回原表面时不被全反射而透过界面，并能起防反射的功能。 2.5光子晶体技术 浅二维表面栅格光子晶体可避免对有源区的损伤和在光子晶体制备过程导入太多表面损伤，引发内量子效率的下降，同时又能发挥光子晶体的衍射效应，改变光的入射角而提升出光效率1.7~2.7倍，制作过程涉及电子束光刻或其他刻蚀工艺。 3、ZnO 纳米阵列增强大功率蓝光 LED 出光效率的研究 原理：采用低成本的化学溶液法在大功率 GaN 基蓝光 LED 芯片上生长 ZnO 纳米阵列, 以提高 LED 芯片的出光效率。 通过改变生长溶液中氨水及锌离子浓度实现对纳米阵列结构形貌的可控性, 进而得到不同形貌的 ZnO 纳米阵列。在此基础上, 进一步研究纳米结构形貌对 LED 芯片出光性能的影响, 探讨纳米结构增强 LED 芯片发光效率的机理。 3.1 ZnO 纳米阵列的微观结构 左图为生长溶液中氨水浓度对纳米 ZnO 阵列形貌的影响. 可以发现, 随着氨水浓度增大, 纳米阵 列长度明显变短. 这是由于氨水浓度较高时, 溶液 中较高浓度的 OH– 离子降低 Zn(NO3)2·6H2O 的水解 反应速率, 从而降低纳米 ZnO 阵列的生长速率。 3.2 LED 芯片的电学性能 LED 芯片在不同氨水浓度溶液中生长 ZnO 纳米阵列 后的 I-V 曲线 LED 芯片在不同 Zn2+浓度溶液中生长 ZnO 纳米阵列 后的 I-V 曲线 从上两图可以看出在不同浓度的氨水及不 同浓度 Zn2+下生长 ZnO 纳米阵列, LED 芯片的电学 性能没有显着变化, 都维持着很好的整流特性，其原因为: 在 生长 ZnO 纳米阵列之前生长了一层致密籽晶层, 该 籽晶层可以沿衬底表面形成导电通道, 从而在一定 程度上降低了器件的电阻, 但是由于 ZnO 薄膜电阻 较大, 对于电流的增加贡献较小, 所以正向电流的 增加不太明显. 由此可见, ZnO 纳米阵列并不会对 LED 芯片的电学性能产生显着影响. 3.3 LED 芯片的光学性能 LED 芯片在不同氨水浓度溶液中生长的 ZnO 纳米阵 列的发光谱 LED 芯片在不同 Zn2+浓度的生长溶液中生长 ZnO 纳 米阵列后的光谱图 为了进一步研究 LED 芯片的电致发光性能, 研 究了表面长有纳米阵列的 LED 芯片与参照 LED 芯 片的发光强度随电流关系曲线如左图 . 可以看出, 各电流下纳米阵列 LED 芯片的发光强度都高于未 生成纳米阵列的 LED 芯片, 并且 L