第02章 半导体中的杂质和缺陷--2015.09.21.pptVIP

VI族（Se, S, Te）－施主杂质 II族（Zn, Be, Mg, Hg）－受主 III族（B, Al, In）－中性杂质 IV族（Si, Ge, Sn, Pb）－两性杂质 缺陷 AsGa－施主 GaAs－受主 VGa－受主 VAs、AsI－施主 1.以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。 2.以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。 第二章习题 Ec ED 电离施主 电离受主 Ev 3. 杂质的补偿作用 (1) ND＞NA 半导体中同时存在施主和受主杂质，施主和受主之间有互相抵消的作用 此时为n型半导体 n=ND-NA EA Ec ED EA Ev 电离施主 电离受主 (2) NDNA 此时为p型半导体 p=NA- ND (3) ND≈NA 杂质的高度补偿 Ec Ev EA ED 不能向导带和价 带提供电子和空穴 (2) 间隙 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si 间隙原子缺陷起施主作用 1. Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的杂质和缺陷 三、 化合物半导体中的杂质和缺陷 ●施主杂质 Ⅵ族元素(Se、S、Te) 在 GaAs 中通常都替代Ⅴ族元素As原子的晶格位置。 Ⅵ族杂质在GaAs中一般起施主作用，为浅施主杂质。 O在GaAs中也会引入深施主能级。 ●受主杂质 Ⅱ族元素（Be、Mg、 Zn、 Cd、Hg）在GaAs中通常都取代Ⅲ族元素 Ga 原子的晶格位置。 Ⅱ族元素杂质在 GaAs 中通常起受主作用，均为浅受主杂质。 ●中性杂质 Ⅲ 族元素（B、Al、In）和Ⅴ族元素（P、Sb）在 GaAs 中通常分别替代 Ga 和 As，由于杂质在晶格位置上并不改变原有的价电子数，因此既不给出电子也不俘获电子而呈电中性，对 GaAs 的电学性质没有明显影响。 在禁带中不引入能级 ● 两性杂质 Ⅳ族元素杂质（Si、Ge、Sn、Pb）在GaAs 中的作用比较复杂，可以取代Ⅲ族的 Ga，也可以取代Ⅴ族的 As，甚至可以同时取代两者。 Ⅳ族杂质不仅可以起施主作用和受主作用，还可以起中性杂质作用。 在掺 Si 浓度小于 1×1018 cm-3 时，Si 全部取代 Ga 位而起施主作用，这时掺 Si 浓度和电子浓度一致； 而在掺 Si 浓度大于 1018 cm-3 时，部分 Si 原子开始取代 As 位，出现补偿作用，使电子浓度逐渐偏低。 例如： （2）GaAs 晶体中的点缺陷 当 T ＞ 0 K 时： ● 空位 VGa、VAs ● 间隙原子 GaI、AsI ● 反结构缺陷 — Ga原子占据 As 空位，或 As 原子占据 Ga 空 位，记为 GaAs和 AsGa。 化合物晶体中的各类点缺陷可以电离，释放出电子或空穴，从而影响材料的电学性质。 实际晶体中，由于各种缺陷形成时所需要的能量不同，他们浓度会有很大差别。 GaAs 曾认为VAs、VGa是比较重要的。 最近发现，主要缺陷是VAs、AsI。 VGa、VAs、AsI 是起施主还是起受主作用，尚有分歧。 较多的人则采用 VAs、AsI 为施主、VGa 是受主的观点来解释各种实验结果。 （2）Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体中的缺陷 主要是离子键起作用，正负离子相间排列组成了非常稳定的结构，所以外界杂质对它们性能的影响不显著。 其导电类型主要是由它们自身结构的缺陷（间隙离子或空格点）所决定，这类缺陷在半导体中常起施主或受主作用。 a.负离子空位 产生正电中心，起施主作用 电负性小 b.负离子填隙 产生负电中心，起受主作用 c.正离子空位 产生负电中心，起受主作用 电负性大 d.正离子填隙 产生正电中心，起施主作用 负离子空位 产生正电中心，起施主作用 正离子填隙 正离子空位 负离子填隙 产生负电中心，起受主作用 Ec Ev ED Ec Ev ED EA1 Ec Ev ED EA1 EA2 EA3 Ec Ev ED EA1 EA2 EA3 ?深能级一般作为复合中心 ?对载流子和导电类型影响较小 深能级瞬态谱仪测量杂质的深能级 自学： 等电子陷阱 束缚激子 位错 第二章 小结 第00章 绪论 《半导体物理》 主讲：郝亚非 实际半导体晶格偏离理想情况 杂质 缺陷 原子在平衡位置附近振动 杂质和缺陷 原子的周期性势场受到破坏 在禁带中引入能级 决定半导体的物理和化学性质 例如： 在纯硅中掺入千万分之一的杂质，能使它的电阻率降低 20 万倍； 硅中含有大量的氧杂质，会改变硅的导电类型； 硅中含有金属杂质会降低它的少子寿命。 本章重点： 施主杂质，受主杂质 施主能级，受主能级 N型半导体，P型半导体 本征激发，杂质电离（杂质激发）