电子系统设计干扰控制技术连载（三2.doc

电子系统设计：干扰控制技术——连载（三） 　 ７.接口电路设计：　　电子系统和“实际世界”之间的接口，要特别注意许多噪声源。输入／输出装置通常独立的单元，通过长的电缆与主系统连接。许多输入／输出装置包括螺旋管线圈、开关、继电器和电机，在高电平工作时，产生大电压和电流尖峰。为了减小这些噪声问题，在设计慢的、低电压和电流工作的接口电路时，使用抑制电弧和尖峰的电路，尽可能使大功率电路简单。　　非线性的连接可以滤去高频噪声，把其送到低频电路中去，这种效应称为“音频检波”。商用机可以有１０Ｖ／m电场，军用设备为１００Ｖ／m电场，于是未屏蔽长电缆能容易地拾取１０Ｖ之多的共模噪声。在这个电平上，不仅晶体管和集成电路中ＰＮ结，甚至冷焊接头和已腐蚀的连接，可以起到检波作用。通过更换导线来产三少噪声的拾取，或者增加低通滤波器来保护敏感的连接（图７－１），可以降低音频检波。 图７－１　减少音频检波 　　输出电路必须设计成能承受由负载引起的大的起动电流。例如，白炽灯在开启时，可以是工作时１０～１５倍的电流，变压器是１００倍，电机是２５倍，继电器是１５倍。这些大的起动电流产生大量噪声，可以熔化触点或毁坏半导体。　　可控硅整流器（ＳＣＲ）和三端双向可控硅开关产生大量噪声，因为在开起时驱动重负载。通过将其在电源电压零交叉时起动，可以减少噪声。在ＳＣＲ的阳极，或者三端双向可控硅开关上尖峰电压可以通过寄生电容耦合到栅极，使器件突然开启。ＲＣ缓冲器（图７－２）可以吸收这些尖峰脉冲（以下简称尖峰），来防止突然开启。按经验法则，缓冲器中电阻器等于最小负载电阻。对于中小电流的ＳＣＲ或三端双向可控硅开关，驱动负载的电感为ＬＬ（Ｈ），则１０Ω≤Ｒ≤２００Ω和ＬＬ／Ｒ２≤Ｃ≤４ＬＬ／Ｒ２（Ｆ）。如果负载电阻小于２Ω，图７－２（d）中Ｒ４和ＣＲ４可省去。　　双极型晶体管和场效应晶体管（ＦＥＴ）可以产生振荡，由于基极和栅极的寄生电容。这种现象特别普遍，当高频晶体管（单位增益频率ft≥１００ＭＨｚ）工作时低于０.２ftＨｚ时。我们能够防止双极晶体管振荡，是在基极一发射极上加１０～１００ＰＦ电容器（图７－３中Ｃ１和Ｃ２）。对于ＦＥＴ，在栅极串联１００Ω～２ＫΩ电阻器（图７－３中Ｒ１和Ｒ２）有同样的结果。另一个有效技术，即不改变原电路图，在晶体管基极／栅极上穿磁珠（图７－３中Ｌ１～Ｌ４），以降低高频增益，不影响低频特性。 图７－２　防止ＳＣＲ和三端双向可控硅开关开启 图７－３　防止晶体管高频振荡 　　晶体管和ＦＥＴ快速开关可引起大量辐射噪音。集电极到发射极（漏极到源极）的≈0.47μＦ电容器，将使这些快速沿变慢，减少辐射噪声。较好的解决办法是将驱动器紧挨负载，为了减小承担瞬变大电流的导线的环路面积和长度。　　抑制电弧电路减小噪声，这噪声是开关的开关、继电器触点的开启和闭合，特别是驱动电感负载产生的。在触点间加上超过３００Ｖ电压时，产生辉光放电。电弧发生在：（１）触点上电压变化大于１Ｖ／μs；（２）电压超过负电触点的额定值Ｖarc；（３）负载电流超过任一触点的额定电流Iarc。表７－１列出了触点普通材料的Ｖarc和Ｉarc。高Ｖarc额定值的触点希望比低Ｖarc额定值的触点，产生更低的电磁干扰（ＥＭＩ），因为灭弧。（注意：已由于飞弧损坏的触点，可以是所列值十分之一的最小飞弧电流）。 表７－１　触点普通材料最低起弧条件 触点材料 Varc(V) Iarc(A) 碳铜金铁钼镍钯铂铑银钨 １５．５～２０８．５～１４９～１６８～１３１７８～１４１５～１６１３．５～１７．５１４８～１３１０～１６．５ ０．０１～０．０３０．３６～０．６００．３８～０．４２０．３５～０．７３０．７５０．２０～０．５００．８００．６７～１．０００．３５０．４０～０．９００．９０～１．２７ 　　图７－４表示为开关和继电器的抑制起弧电路。阻性负载，小于Iarc时，不必加电弧抑制器。图７－４（a）、（b）、（c）和（d）表示感性负载（小于（Iarc）的电弧抑制器。图７－４（e）和（f）表示负载电流大于Ｉarc的电弧抑制器。假定峰值电源电压为Ｖs（Ｖ），峰值负载电流I（Ａ），负载电感为ＬＬ（Ｈ）和负载电阻ＲＬ（Ω），推荐值为：　　工作电压为１０Ｖs（Ｖ）时，Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４ 和Ｃ５≥１０－６Ｉ（Ｆ）和≥（Ｉ／３００）２ＬＬ（Ｆ）；　　Ｃ６和Ｃ７≈ＬＬ／Ｒ２Ｌ（Ｆ）；　　ＣＲ１、ＣＲ２和ＣＲ３为额定的Ｖs反峰电和工作连续电流Ｉ；　　ＬＩ≈１０μＨ；　　Ｖ／Ｉarc（Ω）≤Ｒ１≤ＲＬ（Ω）；　　Ｒ２和Ｒ３≤ＲＬ／２０（Ω）；　　Ｒ４≥ＲＬ（Ω）和≥１０Ｖs/Ｉarc（Ω）；　　Ｒ５≈１００ＫΩ；　　所有这些抑制元件都应紧挨触点，