模拟电子技术半导体三极管2资料.pptVIP

(2)输出特性曲线 1. 当vCE=0 V时，集电极无收集作用，iC=0。 2. 当vCE稍增大时，发射结正偏，集电结正偏，iC主要由vCE决定。 3. 当vCE增加到使集电结反偏时，扩散到基区的电子基本上都被集电区收集，电流没有明显的增加 。 输出特性曲线可以分为三个区域: PCM —集电极最大允许功率损耗 3.2 基本放大电路的组成 (1) 共发射极组态交流基本放大电路的组成 * * * * iC=f(vCE)? iB=const 饱和区——iC受vCE控制的区域，vCE＜0.7 V(硅管)。 发射结正偏(uBEUON)， 集电结正偏(uCE ≤uBE) Ic ＜βIB 截止区—— iB=0的曲线的下方。 uBE ≤ UON ，集电结反偏(uCE ≥uBE) 。 IB=0 放大区——iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。 发射结正偏(uBEUON) ，集电结反偏(uCE ≥uBE) Ic =βIB，电压vBE＝0.7 V左右(硅管) 。 根据三极管三个极的电位来判断三极管的工作状态 uBEUON，uCE ≥uBE 三极管处于放大状态 uBEUON， 三极管截止状态 uBEUON，uCE ≤ uBE 三极管处于饱和状态 也可用三极管三个极的电流判断三极管的工作状态 iB=0 , iC=ICEO 三极管截止状态 Ic =βIB 三极管处于放大状态 Ic βIB 三极管处于饱和状态 例：测量三极管三个电极对地电位如下图 试判断三极管的工作状态。 三极管工作状态判断 放大 截止 饱和 例1: 在下图电路中，UCC = 6V，RC = 3k?，RB = 10k?, ? = 25，当输入电压 Ui 分别为 3V，1V和 ?1V时，试问晶体管处于何种工作状态？ 解: 晶体管饱和时的集电极电流近似为 (1) 当Ui= 3V时， 晶体管已处于深度饱和状态。 例1: 在下图电路中，UCC = 6V，RC = 3k?， RC = 10k?， ? = 25，当输入电压 Ui 分别为 3V，1V和 ?1V时，试问晶体管处于何种工作状态？ 解: 晶体管饱和时的集电极电流近似为 (2) 当Ui= 1V时， 晶体管处于放大状态。 (3) 当Ui= - 1V时，晶体管可靠截止。 ICM —集电极最大允许电流 V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压 ICEO ——集电极发射极间的穿透电流 三极管的安全工作区和有效工作区 uBEUON＝0.7V ，uCE ≥uBE 三极管处于放大状态 有效工作区 1.放大电路主要用于放大交流小信号，输出电压在幅度上得到放大。 2.输出信号的能量是由直流电源提供的，经过三极管的控制提供给负载。 由一个三极管与相应元件组成的 三种基本组态放大电路, 共发射极、共集电极、共基极 静态—— 时，放大电路的工作状态称直流工作状态。 静态时，三极管各极间的电压、各电极的电流分别为IB、IC、VBE、VCE。 静态工作点：三极管特性曲线上的一个确定的点。 输入回路和输出回路方程 静态工作点： * * * *