如何削减LDMOS放大管的记忆效应.docVIP

如何削减LDMOS放大管的记忆效应 记忆效应在当今基站放大器的设计当中充当了很重要的角色。例如，当功放系统运用到预失真时运用记忆效应可以起到限制抵消的作用，这篇科研探讨了如何减消LDMOS放大管的记忆效应并提供了各种电路的改善结果。在涉及到数字预示真的多载功放误差纠正技术，记忆效应的削减变得尤为重要。 电学中的记忆效应定义为由于调制频率引起的失真产物幅度和相位的变化。测试记忆的方法有好几种，最普遍用到的方法是通过两载波测试，画出对应于信号带宽的失真产物相位和幅度曲线，记忆效应较弱的器件将会对信号带宽产生一种平滑响应。通常这种方法一般用于测试信号三阶互调的情况，测试互调产物的幅度比较简单，但是测试相位就需要用到比较复杂的测试设备。 这篇论文主要讨论应用WCDMA信号通过测试对应信号带宽的失真产物幅度值，来求得其记忆效应。如果失真产物的幅度可以做到尽可能平滑，那么相位将不会发生比较显著的变化。本项科研的研究对象为180W高功率推挽放大器，研究重点不仅在于三阶互调，同时也包括在宽频传输信号中成为不可忽略的失真源，如五阶和七阶产物。信号的可视带宽定义为可用信号的最低频点和最高频点之间的差值，在典型的UMTS系统使用四载波传输时，若载波之间相隔5MHz，每一载波为3.84 Mcps，那么该信号的可视带宽为20MHz。 图1 漏级偏压供电结构的PCB图 计算MRF5P21180的记忆效应 让我们从LDMOS HV5 MRF5P21180的测试电路开始分析，考虑到本项科研重要点在于探讨记忆效应，故在图1中只显示出管子的偏压供电结构。在推挽结构的另一边，偏压供电如镜像与上图一样。它合并了一段标准的四分之一波长射频传输线和若干个容值为5.6pF退耦电容，以及用于调制带宽的1nF、100nF、10μF和22 μF电容，以上结构在2.14GHz频点的阻抗很高，而在调制频点（20MHz）的阻抗非常低。高阻抗是为了防止射频信号在测试电路的直流供电段被消耗掉，而低阻抗是为了尽量削弱调制频率的记忆效应。以下应用了平均功率为为90W（PEP为180W）的两载信号来测试偏压网络对应于信号带宽的响应，测试结果如图2所示。 图2 当漏级偏压馈电线宽度为1.5mm和3.0mm时对应于信号带宽的失真产物对比结果 由上面的论证可以看出，去耦电路的调制频率响应具有一定的限制，而三阶和五阶响应在比较低的频点表现出轻微恶化。 在15MHz左右五阶产物开始出现急剧变差，并在20MHz信号带宽时开始成为主要的非线性源，同时在20MHz和30MHz之间三阶产物出现了明显的变化。为了削弱记忆效应我们对电路进行了改进，第一步也是最主要的就是减小低频点的馈电阻抗，第二步加宽漏级的馈电线宽度，从1.5mm加宽到3.0mm。，如图3所示，在测试图中用蓝线表示出。. 图3 漏级馈电的改进 图4 1.5mm和5.0mm漏级馈电线和增加22μF去耦电容后 对应于信号带宽的失真产物比较图 继续加宽馈电线到5mm并在靠近短路点增加一个22μF的去耦电容以达到最好的瞬时带宽测试结果，如图4所示，互调产物的恶化频段被推到20MHz带宽以外。同时，其恶化速度不会很快，很关键的一点是，在带宽15MHz的低频段IM3变差了2dBc。尽管如此，使用WCDMA调制信号来测试时不会出现任何性能上的恶化，门限值的变化不会影响到即时带宽，这是因为LDMOS的门限值是通过电压控制来实现的并且无明显的直流通过，大部分的电记忆效应是表现在漏级的馈电电流上。 图5是带宽为10MHz时输出功率三阶互调曲线图，通过缩小IM3最大值和最小值之间的差值进一步验证了瞬时带宽的改善，更宽的漏级馈电线使IM3最大值和最小值之间的差值小于3dB，同样结构下，五阶和七阶互调产物的最大和最小值如图6所示。 图5 当带宽为10MHz频率点为2140MHz时的线性特性曲线 图6 对应于不同输出功率的高阶互调产物 如图7，利用WCDMA两载测试信号测试会发现IM3最大和最小值之间会出现同样的改善。在漏级偏压结构比较宽的设计当中，结果显示IM3的不平衡度小于2dB，在馈电线的雏形设计当中，不平衡度为5dB，这个效果可以通过画出频谱仪在宽频输出电平的响应曲线就可以看到，平均功率为38W时的截图如图8所示。从这曲线图可以看到对于新馈电结构，使用两载波来测试时其互调会变得更加平衡。同时，WCDMA信号两载波的五阶和七阶变小了，因此可以降低对预失真误差纠正电路的要求。 图7 WCDMA两载波信号对应于输出功率的三阶特性曲线图 图8 WCDMA两载波信号在输出功率为38W时的频谱 结论 本项科研验证了LDMOS管漏级合理的偏压结构可以带来更好的瞬时带宽并改善了记忆效应。这不仅可以平衡互调产物的最大值和最小值，同时也使五阶和七阶非线性度，这些改善可以减少线性特