半导体集成电路第3部分要点.pptVIP

扩散 主要内容： 费克扩散定律。 常见杂质的扩散率。 扩散分布的分析。 扩散系统。 扩散 扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一，是在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中，使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散，达到一定浓度，实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法，也称为热扩散。 目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型，电阻率，或形成PN结。 扩散机制 扩散是物质内质点运动的基本方式，当温度高于绝对零度时，任何物系内的质点都在作热运动。 杂质在半导体中的扩散是由杂质浓度梯度或温度梯度（物体中两相的化学势不相等）引起的一种使杂质浓度趋于均匀的杂质定向运动。 扩散是一种传质过程，宏观上表现出物质的定向迁移。 扩散是一种自然现象，是微观粒子热运动的形式，结果使其浓度趋于均匀。 固相扩散工艺 微电子工艺中的扩散，是杂质在晶体内的扩散，是固相扩散工艺。 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，主要有三种方式 间隙式扩散 替位式扩散 间隙—替位式扩散 间隙式扩散 替位式扩散 间隙-替位式扩散 许多杂质即可以是替位式也可以是间隙式溶于晶体的晶格中，并以间隙-替位式扩散。 这类扩散杂质的跳跃率随空位和自间隙等缺陷的浓度增加而迅速增加。 间隙-替位式扩散 杂质在半导体中的作用 对晶圆局部掺杂在半导体制程中必不可少。 向半导体中掺杂的方法有扩散和离子注入法。 扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉，将杂质扩散到硅片内一种方法。 扩散的优点是批量生产，获得高浓度掺杂。 杂质扩散有两道工序： 预扩散 (?又称预淀积 ?Pre-deposition?)? 主扩散 (?drive?in?) 。 扩散工序 预扩散工序: 在硅表面较浅的区域中形成杂质的扩散分布，这种扩散分布,硅表面杂质浓度的大小是由杂质固溶度来决定的。 主扩散工序: 将预扩散时形成的扩散分布进一步向深层推进的热处理工序。杂质的扩散浓度取决于与温度有关的扩散系数D的大小和扩散时间的长短。 扩散工序(续) 硅集成电路工艺中，常采用硼作为 P 型杂质，磷作为 N 型杂质。 还使用砷和锑等系数小的杂质，这对于不希望产生杂质再分布的场合是有效的。 杂质扩散层的基本特性参数是方块电阻 RF 和扩散结果Xj 。 杂质在晶圆中的分布 扩散结果测量 RF 可用四探针测量法。 对于Xj ： 倾斜研磨（Angle?lapping)? 和染色 (staining) 法， (如用 HF :H3PO4?=?1:6使P层黑化) 倾斜研磨后，经侵蚀的酸溶液蚀刻，将扩散后集积在晶片下半部的析出物凸显出来，显现出密度的轨迹，而在靠晶片的表面附近出现一段空泛区，经过角度换算，约 20um 。 扩展电阻 (?spreading?resistance) 法来进行评估。 一维费克扩散方程 存在浓度梯度时，任何一种可自由运动的材料都会再分布。 材料的移动趋向于将浓度梯度降低，起源是材料的随机热运动。 扩散运动的基本方程就是费克第一定律： 费克第二定律 实际应用中扩散流密度很难测量，引入费克第二定律。以便于测量其中的变量。 费克第二定律（续） 代入费克第一定律表达式有： 扩散的原子模型 扩散的原子模型（续） 替位型杂质的移动直接交换式耗能多。空位交换式耗能较低，是扩散的主要机理之一。 总扩散率 本证载流子浓度和温度的关系 中性空位的扩散率 填隙扩散机制 挤出机制和Frank-Turnbull机制 费克定律的分析解 实际应用中不能把扩散系数认为是常数，需用数值方式对费克定律求解。 表面杂质源固定----预淀积扩散 进入晶圆中杂质数量一定----推进扩散 可以先预淀积再进行推进扩散。 扩散后浓度和深度的关系 常见杂质的扩散率 硼杂质： 浓度在1020cm-3以下的测量数据与本征扩散率一致。 直到浓度达到1020cm-3，扩散表达式中第一项起作用。 当浓度超过，不是所有硼原子都占据晶格位置，其中一些必须处于填隙位置，或者凝聚成团，导致扩散率急剧 下降。 常见杂质的扩散率（续） 常见杂质的扩散率（续） 砷杂质： 砷在硅中通过中性空位和带单个负电荷的空位进行扩散。 扩散率较低，被选为N型杂质满足最小的杂质分布。 例：NMOS的源漏区扩散；多极晶体管的发射区扩散 低浓度的和中等浓度的砷扩散，利用本征扩散来描述 当浓度超过1020/cm3，砷易成团，导致高浓度扩散分布顶部平缓。 高温退火使聚团浓度和替位型砷浓度达到平衡。 常见杂质的扩散率（续） 常见杂质的扩散率（续） 磷杂质： 主要限于阱和隔离。 扩散分布曲线分为三个区域：高浓度区、低浓度区、转折区。 高浓度区，浓度不变，有两部分组成：中性的磷原子----中性空位交换扩散；磷离子和带两个负电荷的空位组成的离子空位