ch4热氧化摘要.ppt

4.4.1杂质分凝现象 （2）扩散速率 杂质在二氧化硅和硅中的扩散速率不同，热氧化时，将引起Si/SiO2界面杂质的再分布。扩散系统D是描述杂质扩散速率快慢的参数。 按照杂质在SiO2中扩散速率的快慢分为：快扩散杂质、慢扩散杂质。 （3）界面移动 K1慢扩散（B）； K1快扩散（H2+B）； K1慢扩散（P）； K1快扩散（Ga）； 杂质在SiO2/Si界面分布 SiO2/ Si SiO2/ Si SiO2/ Si SiO2/ Si k1 杂质在硅一侧耗竭 B在SiO2中扩散慢 B在SiO2中扩散快(H2环境） P,As在SiO2中扩散慢 Ga在SiO2中扩散快 k1 杂质在硅一侧堆积 4.4.1杂质分凝现象 4.4.2再分布对硅表面杂质浓度的影响 热氧化后硅中硼的表面浓度 磷分凝系数10 水氧氧化Cs/CB干氧氧化；磷在SiO2中的扩散速率很低，损失较小，造成表面浓度增大。 温度↑ ，磷扩散↑ ，Cs/CB↓； 硼分凝系数0.3 水氧氧化Cs/CB干氧氧化； 温度↑ ，硼扩散↑， Cs/CB ↑ ； 热氧化后硅中磷的表面浓度 计算得到的在不同温度下氧化后硅中硼的分布曲线 高温氧化对杂质浓度分布的影响 4.4.2再分布对硅表面杂质浓度的影响 一般要求：表面无斑点，裂纹，白雾，发花和针孔等问题； 检测：主要为表面观察和厚度测量。 镜检：外观颜色均匀性，有无裂纹等； 厚度：比色法、干涉条纹发；； 针孔密度：化学腐蚀法、电解镀铜法； 4.5氧化层的质量及检测 比色法：可根据氧化层表面颜色和表中所列颜色进行比较，来确定氧化层的厚度。（光的干涉） 4.5.1氧化层厚度的检测 干涉法条纹法 原理：利用测定氧化层台阶上的干涉条纹数目求氧化层厚度。 设备：一台单色光源（一般采用纳光灯）和一台普通的干涉显微镜。 测量方法：把SiO2层通过48%的氢氟酸腐蚀（将不需要腐蚀的SiO2用真空封蜡保护起来）而制作出一个斜面。然后把单色光（波长λ）垂直投射到斜面区域，对于透明膜，在斜面各处所对应的厚度不同，入射光从表面与从衬底反射出来的光束之间的光程差不同。产生相长和相消干涉，在显微镜下可观察到明暗相间的条纹，等厚干涉条纹。 一般从一个最亮到相邻的一个最亮条（或最暗条到相邻的另一个最暗条）就算一个干涉条纹。而从最暗到相邻最亮条则为半个干涉条纹。 4.5.1氧化层厚度的检测 （a） （b） 图 氧化层厚度测量---- 干涉条纹 n：二氧化膜的折射率，约为1.5； N：干条纹的条数。 4.5.1氧化层厚度的检测 4.5.2 SiO2层成膜质量的测量 氧化膜的缺陷包括：表面缺陷、结构缺陷、氧化层中的电荷。 1.表面缺陷：斑点、裂纹、白雾、针孔等。 针孔：通孔（完全穿通的孔）；盲孔（不完全穿通的孔）； 产生针孔的原因：硅表面抛光不好；硅片有严重位错；硅片表面沾污；硅片表面有合金点； 消除针孔的方法：化学腐蚀法和电解镀铜法； 化学腐蚀法 腐蚀液为邻苯二酚，胺，水，通过针孔化学腐蚀衬底硅。 氯气腐蚀法：900℃以上，氯气对针孔部位的Si腐蚀。 电解镀铜法：含铜电解液，电流通过针孔流通，电化学反应在针孔析出铜。 氧化诱生堆垛层错（OSF） 界面硅侧有大量自填隙硅原子，这些点缺陷结团形成堆垛层错，一般位于{111}面中。 100Si腐蚀后，显露的OSF，继续腐蚀将显露更多缺陷 4.5.2 SiO2层成膜质量的测量 2.结构缺陷主要是氧化层错。 氧化诱生层错：在氧化过程中，有约千分之一的硅原子没有被氧化，这些未被氧化的硅原子由于界面推进而挣脱，成为自由原子，并以极高的迁移率迅速进入硅体内的填隙位置，造成晶格自填隙原子过饱和。即热氧化过程中由于过饱和自填隙原子所导致的堆垛层错。 危害：影响MOS器件的跨导和速度，使双极晶体管器件反相电流、低频噪声增加等。 * * * * * * * * * * 界面陷阱电荷 Qit SiO2 Si + + + + + + + + + + 氧化层固定电荷 Qf 氧化层陷阱电荷 Qot + + + + - - - - - 可动离子电荷 Qm K+ Na+ 4.5.2 SiO2层成膜质量的测量 3.氧化层中的电荷： 界面陷阱电荷(Qit )； 固定的氧化层电荷(Qf )； 氧化层陷阱电荷(Qot)； 可移动离子电荷(Qm )； 可移动离子（Mobile Ionic Charge）Qm 来自钠或其他碱金属离子污染，在温度升高，极高电场作用下可以在氧化层内移动。SiO2中的钠离子主要来自工艺