第一章准费米能级.doc

第一章 准费米能级：非平衡态的电子与空穴各自处于热平衡态--准平衡态,可以定义EFn、EFp分别为电子和空穴的准费米能级。 细致平衡原理：在稳态下，各种能级上的电子和空穴数目应该保持不变。 间接复合的四个过程：a：电子被复合中心俘获；b：复合中心上的电子激发到导带；c：空穴被复合中心俘获；d空穴的产生 PN结空间电荷区的形成过程：载流子的扩散和漂移 当N型和P型材料接触时，在P型中的空穴向N型一边扩散，在N型中的电子向P型区扩散。由于电子和空穴的扩散，在互相靠近的N侧和P侧分别出现了没有载流子补偿的，固定的施主离子和受主离子—空间电荷。空间电荷建立了一个电场—空间电荷区电场，也叫内建电场。内建电场沿着抵消载流子扩散趋势的方向，它使载流子向与扩散运动相反的方向漂移。在热平衡时，载流子的漂移运动和扩散运动达到动态相平衡，使得净载流子流为零。结果，建立一个确定的空间电荷区。 肖特基势垒的形成过程：电子将从半导体渡越到金属，使半导体表面出现未被补偿的离化施主的正电荷，金属表面则积累负电荷， 同时二者的费米能级拉平。金属表面的负电荷是多余出来的导电电子，占据很薄一层。半导体中施主浓度比金属中电子浓度低几个数量级，所以半导体中的正电荷占据较厚的薄层，在半导体表面形成空间电荷层。 欧姆接触：定义为这样一种接触，它在所使用的结构上不会添加较大的寄生阻抗，且不足以改变半导 体内的平衡载流子浓度使器件特性受到影响。 异质结定义：由两种基本物理参数（如禁带宽度）不同的半导体单晶材料组成的结。 异质结的特性：（1）异质结的高注入比；（2）异质结的超注入现象；（3）异质结对载流子和光的限制；（4）异质结的“窗口效应” 异质结的窗口效应：两种半导体在一起形成异质结时，由于禁带宽度不同，对光波的吸收波长也不同，即光响应不同。只有在光子能量处于Eg1hvEg2的区域时异质结才有光响应（光子穿透宽带材料而被窄带材料吸收，产生光电流），这一区域之外光响应很小，这就是所谓的异质结的窗口效应。 量子阱：两个靠得足够近的相向异质结可以构成理想的矩形势阱，当阱宽可以和电子的德布罗意波长相比，而 势垒的宽度较大，使两个相邻势阱中的电子波函数 不能互相耦合（不发生交叠），即形成量子阱 超晶格：由两种或两种以上性质不同的薄膜相互交替生长而形成的多层结构的晶体。一般其周期长度 要比各薄膜单晶的晶格常数大几倍或更多。 量子阱和超晶格的异同 多量子阱：势垒足够厚和高时，相邻势阱中的电子波函数不发生交叠电子行为如同单个阱中电子行为的简单总和。适合制作低阈值， 窄谱线的发光器件。 超晶格：势垒比较薄和高度比较低时，由于隧道共振效应 使阱中的电子隧穿势垒，势阱中分立的电子能级 形成了子能带。适合制作大功率的发光器件。 第二章 外延生长：在经过仔细加工的晶体衬底的表面上， 在一定的条件下（如温度、真空、气流等），某些 物质的原子或分于会依照一定的晶向和结构在衬底 止规则地排列，形成新的一层单晶层，其晶休的取 向和结构会类同于原衬底，这个单晶层称之为外延 层，这种生长外延层的技术称之为外延生长。 MBE系统的主要特点：①预处理室和生长室都是超高真空，通常预处理室的真空度10-7Pa，生长室的真空度10-8Pa；②生长所用的源为固态或气态的原子、分子，且为高纯的；③生长速率缓慢可控，可实现单原子层外延生长，可实现各种超晶格、量子结构；④生长过程中可实现实时控制，采用RHEED（反射高能电子衍射仪）、俄歇电子能谱仪等，能够实 时地测量外延层的生长情况、原子再构、晶体质量、 组分分布等，适合生长机理的分析和研究；⑤纯度、组分分布、掺杂分布可控，可获得高纯度、均匀组分、突变组分或渗杂的各类异质结构；⑥晶体完整性最好，可消除各类缺陷，如单晶锭生长中的深能级EZ等，外延层的位错密度可以低于衬底的位错密度；⑦MBE的实验设备庞大，价格昂贵，操作复杂， 耗费原料，适宜于研究工作，不太适宜于大批量生产。 MBE外延生长机理：分子束外延生长是加热的组元的原子束或分子束入射到加热的衬底表面，与衬底表面进行反应的过程，它 是从气相到凝聚相，再通过一系列表面过程的最终结果。 MOCVD系统的主要特点：①生长所用的源都为气体，对于III族或II族源来说，采用它们的金属有机物气体，对于V族或VI 族来说，则采用它们的烷类气体；生长室为常压或低压，无需超高真空；②生长温度不太高（600～700 ℃），生长速率较快，可实现各种超晶格、量子结构；③纯度、组分分布、掺杂分布可控，可获得高纯度、均匀组分、突变组分或掺杂的各类异质结构；④晶体完整性好，可消除各类缺陷；⑤生长过程中由计算机预先设计好的程序控制，可控性好，但不能进行实时监测；⑥生长快，生长速度可以高达μm/min，片数多，可同时生长许多片，重复性好，适宜于大批量生