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数字集成电路的电路单元结构 COMS基本单元结构 COMS传输控制结构 CMOS电路单元的时间延迟 MOS晶体管模型 典型尺度参数为： 沟道宽度W、沟道长度L，逻辑面积A； CMOS基本单元结构 CMOS反相器 由一对晶体管连结实现，晶体管由同一输入端控制，表现出互补特性。 CMOS基本单元结构 与非门和或非门 N网络串联为“与”，并联为“或”； P网络与N网络对偶连接。 CMOS基本单元结构 与非门和或非门特点： 每个输入端连接1对晶体管；晶体管总数为输入端数量的2倍； P网络与N网络分别为并联或串联结构，并联或串联的晶体管数量与输入端数量相同。 CMOS基本单元结构 与门和或门： 与门和或门可以通过在与非门和或非门后面级联反相器实现，不属于基本单元。 CMOS基本单元结构 与或非结构（AOI）和或与非结构（OAI） 形成“与-或”2级门整体结构，只有第一级门的实现使用晶体管。 CMOS基本单元结构 CMOS基本单元结构 CMOS基本结构的典型实现方式与表达 任何组合逻辑都可以表达为“与-或”2级结构，这种结构可以采用下述方式实现： CMOS基本单元结构 CMOS传输控制结构 基本单元：传输门（TG）、三态门 采用N晶体管和P晶体管并接构成，两管的栅极接互补控制电平。 组合单元的传输控制 CMOS传输控制结构 异或门：可