第四章sdrc_lite内存控制器的仿真、综合与硬件测试-soc@fudan.docVIP

第四章 SDRC_Lite内存控制器的仿真、综合与硬件测试 在第三章中讲述了SDRC_Lite内存控制器的实现原理与设计概要。本章将讲述它的Verilog实现，RTL仿真，FPGA综合以及FPGA硬件验证。 1 SDRC_Lite的Verilog实现 SDRC_Lite设计使用Verilog语言描述，兼容IEEE Std 1364-2001给出的verilog-2001标准。用于综合的RTL级设计文件中，只涉及assign、always、if、case四种语句；状态机的设计风格使用的是Altera推荐的风格；用于仿真的行为级测试文件中，使用了task语句，使测试更加面向任务；复杂且反复用到的逻辑编写为function，以增加代码的可读性；所有基本参数和导出参数放在独立文件中，其他设计或仿真文件使用include调用它，从而实现“全局参数”。 SDRC_Lite的设计概要已在第三章明确，Verilog语言描述完全以设计概要为基础。 2 SDRC_Lite的RTL仿真 本次仿真使用ModelSIM 6.5进行，dump出来的波形使用Debussy 5.4v9观察。 SDRC_Lite的大部分子模块都有单独的Testbench，经过了单独测试，此处不再赘述。这里，主要讨论SDRC_Lite的整体仿真。 2.1 仿真模型与参数设置 SDRC_Lite的整体仿真中，用到了Micron公司提供的SDRAM模型，以便模拟与SDRAM器件的交互：比如Mode Register设置、读出先前写入的数据等等。 该Micron SDRAM模型，对应型号为mt48lc4m16a2-7E的SDRAM芯片。它是一款64Mbit的SDRAM，其中与SDRC_Lite设计相关的参数值如下表： SDRC_Lite参数名 含义 mt48lc4m16a2-7E的参数值 SDR_A_W SDRAM地址位宽 12 SDR_B_W SDRAM Bank地址位宽 2 SDR_R_W SDRAM 行地址位宽 12 SDR_C_W SDRAM 列地址位宽 8 SDR_D_W SDRAM数据位宽 16 SDR_M_W SDRAM数据Mask位宽 2 tRP 预充电延时(ns) 15 tRFC 刷新延时(ns) 66 tRCD ACT到列读写的延时(ns) 15 仿真的最小时间单位1ns，为精度为100ps。系统时钟定为100MHz，即周期为10ns，这个数值与实际应用的频率接近，也便于仿真。 为了保证指令和数据被SDRAM有效接收，一般要求SDRAM时钟相对于系统时钟有3ns的滞后。在Testbench中，此延时用延时赋值语句实现；FPGA验证中，用PLL核实现。 2.2 包含Micron Model的Testbench与仿真波形 Testbench包括读写控制单元(SDRC_MCB_TOP_TST_TRX16)、SDRC_Lite(MCB_TOP)、Micron Model三个部分。读写控制单元，使用readmemb语句从位流文件中载入位流，写入通过SDRC_Lite写入SDRAM，再回读出来。 整个过程中，SDRAM自动完成初始化的波形如下： 观察图中sdr_cs_n、sdr_ras_n、sdr_cas_n、sdr_we_n四个信号，可知SDRC_Lite依次向SDRAM发送了如下指令：PREA、8次REF、LMR。之后mcb_i_ready变为1，表示初始化完成。指令的间隔也没有问题，初始化完成前dqm为1，整个过程符合设计要求。 整个过程中，SDRAM读写的波形如下： 如上图，每当SDRC_Lite的mcb_busy为0时，读写控制单元通过mcb_bb发起突发传送开始信号。图中mcb_bl为2b01表示突发传送长度为8，读写操作的指令依次为：ACT、WR、WRA、ACT、WR、WRA、ACT、RD、RDA、ACT、RD、RDA，可见从系统端看来：发生了两次突发传送长度为8的读和两次突发传送长度为8写。指令的间隔也没有问题，指令序列输出符合指令状态机的设计意图。可以观察到写入的数据与读出的数据一致，限于篇幅此处不再贴放大的波形。 2.3 其他仿真测试 在另一个SDRC_Lite的testbench中，对长为4的读、长为8的读、长为4的写、长为8的写这四种请求进行了排列组合，观察了状态机的状态跳转。同时，还观察了刷新操作对系统端连续读写请求的影响。所有行为与设计要求符合，限于篇幅此处不再贴该Testbench的波形。 3 SDRC_Lite的FPGA综合 本次FPGA综合使用的是Quartus 10.1sp1，目标器件是Cyclone II ep2c8pq208c8。 综合时开启的优化选项包括：寄存器延时平衡(register retiming)