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* 常用杂质的扩散特性？ B, P, As 常用扩散掺杂方法？ 常用扩散掺杂层的质量测量？ B：p型杂质，OED；P：n型杂质，深结，OED；As：n型杂质，离子注入精确控制实现浅结 气态源、液态源、固态源、旋涂法 薄层电阻：四探针法；结深：染色法；掺杂分布：C-V法，SIMS 非本征扩散 本章小结 /2 * * 2）因为开始时杂质浓度梯度较大，而后来浓度逐渐变小。 3）因为C0的增大将相应使浓度梯度提高。 * * * * * * 漂氧化层（去釉） 淀积循环中，暴露的晶圆表面会形成一薄 层氧化物，经掺杂后会起到不想要的杂质源作 用，或在后续的工艺中导致刻蚀不完全。 去除方法： 在稀释的HF溶液中浸泡、水冲及干燥等步 骤。 * * 评估 测试陪片与器件晶圆一起淀积： 将测试陪片分放在不同的位置，对整批晶 圆的淀积分布进行采样； 淀积后，漂去氧化层，对陪片进行评估。 * * 评估内容 主要的在线测试为应用四探针测试仪测试方块电阻。 对工艺和炉管清洁度的合格确认，则采用 对陪片进行氧化与电容—电压测试的方式，以 监测可动离子沾污来进行。 对晶圆表面污染的监测，则是将晶圆放在 高亮度的紫外灯或显微镜下，采样或100%检测。 * * 推进氧化 主要目的： 促进杂质向晶圆深处的再分布； 热推动使扩散达到特定的深度和广度。 此步骤中，杂质原子数量恒定，表面杂质浓度降低，原子形成新的形状分布。 氧化晶圆的暴露表面； 在推进扩散过程中，将炉管氛围设置为氧气或水汽，在扩散的同时进行氧化，故又称为推进氧化。 * * 推进氧化时晶圆在炉管中的剖面图 推进工艺的温度通常高于淀积工艺； 　其设置、工艺步骤和设备与氧化相同。 * * 推进氧化后的评估 推进扩散完成后，进行再次评估： 推进扩散完成后，进行再次评估： 测试晶圆表面的洁净晶度，以及用探针装 置测试陪片的薄层电阻、表面浓度(掺杂分布)、 结深，并有可能测试其可动离子的污染。 * * 预淀积 vs. 推进扩散 * * 淀积与推进后的杂质分布 * * 淀积与推进对扩散电参数的影响 * * 扩散源 淀积依赖于待掺杂物质的蒸气原子在炉管中的浓度，而蒸气产生于炉管设备上的杂质源箱内的杂质源，并由携带气体带入炉管中。 杂质源在炉管中，经淀积过程在硅表面形 成一薄杂质层，再经推进由硅表面薄层向内扩散，故该杂质源即是整个扩散过程中的扩散源。 　　引入的扩散源的外形、状态和特性等都对 所采用的扩散方法和扩散系统有很大影响。 * * 扩散源的形式 按原始杂质在室温下的形态，扩散的杂质源可分为： ? 固态源 ? 液态源 ? 气态源 而根据所用的杂质源的形式，扩散又可分为：固态源扩散、液态源扩散和气态源扩散。 * * 固态源扩散 大多数固态源是杂质的氧化物或其他化合物。 常用的固态源： ? 远程固态源 ? 近邻固态源 ? 旋转涂抹固态源 以扩散系统划分： 开管扩散 ? 箱法扩散 ? 涂源法扩散 * * 远程固态源 扩散源是杂质的氧化物粉未(P2O5 )。 淀积时，将氧化物粉末 放入源炉管中；在源炉管中， 氧化物产生出源的蒸气，并 被带入主炉管中，并在那里 进行扩散反应。这种设置下采用的扩散源称为远程固态源。 　 特点是经济但掺杂不均匀，主要用于精确度要求不高的分立器件的掺杂。 * * 近邻固态源 　　 扩散源是与晶圆差不多大小的块状的杂质化合物，如BN片。 将杂质块与器件晶圆相 间并均匀地一起放在淀积舟上；由于杂质块的排列方式，故被称为近邻固态源。 　　 在炉管中，在扩散温度下，杂质从杂质块中挥发出来，并通过很短的距离扩散到晶圆表面与硅反应生成单质杂质原子向硅内扩散。 　　 特点是对于大尺寸晶圆有很好的均匀性，杂质使用安全；缺点是杂质块易碎，需清洗，且产能低。 * * 旋转涂抹固态源 这种固态源是直接涂抹在晶圆表面的，是粉未状的杂质氧化物与溶剂的乳胶状混合物。 淀积