第三章 逻辑门电路4.pptVIP

* 3、5、7 COMS电路的锁定效应及正确使用方法 1、COMS电路的锁定效应 锁定效应又称为可硅效应，是COMS电路中的一个特有问题。发生锁定效应后往往会造成COMS 器件的永久失效。因此完全有必要了解COMS 电路产生锁定效应的原因及其防护方法。 * 在如下情况可以导通： （1）若V1—VF（VF表示T1 ～ T6发射结的正向导通压降）时，T6导通，进而T1导通，则产生锁定效应。 （2）若V1VDD+VF时，T5导通，进而引起T2导通，则产生锁定效应。 （3）若V0—VF时，T4导通，进而引起T1导通，则产生锁定效应。 （4）若V0VDD+VF时，T3进而引起T2导通，则产生锁定效应。 * 2、COM S 器件使用时应注意的问题 （1）输入电路的静电保护 尽管在COMS电路的输入端已经设置了保护电路，但它所能承受的静电电压和脉冲功率仍有一定限度，因此，在运输时最好使用金属屏蔽层作为包装材料，不能用易产生静电电压的化工材料、化纤织物包装。在组装、调试时，仪器仪表、工作台面及烙铁等均应有良好接地。不能使用的多余输入端不能悬空，以免拾取脉冲干扰。 （2）输入端加过流保护 由于输入保护电路中钳位二极管电流容量有限，因此在可能出现大输入电流的情况时，必须加过流保护措施。例如，在输入端接有低电阻信号源时，或有长线接至输入端时，或在输入端接有大电容时，均在输入端接保护电阻 * 作业题 1、3-12 2、3-13 3、3-14 * 本章小结 　门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辑单元，掌握各种门电路的逻辑功能和电气特性，对于正确使用数字集成电路是十分必要的。 　本章介绍了目前应用最广泛的TTL和CMOS两类集成逻辑门电路。在学习这些集成电路时，应把重点放在它们的外部特性上。外部特性包含两个内容，一个是输出与输入间的逻辑关系，即所谓逻辑功能；另一个是外部的电气特性，包括电压传输特性、输入特性、输出特性等。本章也讲一些集成电路内部结构和工作原理，但目的是帮助读者加深对器件外特性的理解，以便更好地利用这些器件。 * 一、CMOS反相器 的工作原理 二、CMOS反相器的电压传输特性和电流传输特性 第五节 CMOS 门电路 六、COMS逻辑门电路 四、电源特性 五、COMS传输门 三、 CMOS反相器的输入特性和输出特性 * 复习 为什么要用OC门？ OC门的工作条件？OC门有何应用？ 三态门有哪三态？三态门有何应用？ * 　　MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS门电路，尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点，得到了十分迅速的发展。 第五节 CMOS 门电路 * 3、5、1 CMOS反相器 1．MOS管的开关特性 MOS管有NMOS管和PMOS管两种。 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管(意为互补)。 　　MOS管有增强型和耗尽型两种。 在数字电路中，多采用增强型。 * 图2-24 NMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接正电源 截止 导通 导通电阻相当小 （1）NMOS管的开关特性 * 图2-25 PMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接负电源 （2）PMOS管的开关特性 导通 导通电阻相当小 截止 * 图2-26 CMOS反相器 UIH= VDD 截止 UOL≈ 0V 当uI = UIH = VDD ，VTN导通，VTP截止， uO =UOL≈0V 导通 * 图2-26 CMOS反相器 PMOS管 负载管 NMOS管 驱动管 开启电压（又称门电压）UGS(th)0，V(GS)N0且VDD|VGS(th)|+Vgs(th)N。 2．CMOS反相器的工作原理 （1）基本电路结构 * （2）工作原理 图2-26 CMOS反相器 UIL=0V 截止 导通 UOH≈VDD 当uI= UIL=0V时，VTN截止，VTP导通， uO = UOH≈VDD * （3）逻辑功能 　　实现反相器功能（非逻辑）。 　 （4）工作特点 　　VTP和VTN总是一管导通而另一管截止，而且截止内阻又极大，流过VTP和VTN的静态电流极小（纳安数量级），因而CMOS反相器的静态功耗极小。这是CMOS电路最突出的优点之一。 * 图2-27 CMOS反相器的电压传输特性和电流传输特性 3、5、2 CMOS反相器的电压传输特性和电流传输特性 AB段