01-半导体器件-二极管.ppt

14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结及其单向导电性 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压 (反向偏置) 2. PN 结加反向电压 (反向偏置) 14.3 二极管 14.3.1 基本结构 14.3 二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 * 第14章 半导体器件 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 双极型晶体管 14.2 PN结及其单向导电性 14.1 半导体的导电特性 14.6 光电器件 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况, 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对于元器件，学习重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不过于追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标, 就不要过分追究精确的数值。工程上允许一定的误差，可采用合理估算的方法。 14.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性： 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能 力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、晶体管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时, 导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏晶体管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 14.1.1 本征半导体 完全纯净的、晶格完整的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价键结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 价电子 价电子 价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后, 即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子(带负电), 同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下, 空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动(相当于正电荷的移动)。 空穴 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： (1) 自由电子作定向运动 ?电子电流 (2) 价电子递补空穴 ?空穴电流 注意： (1) 本征半导体中的载流子数目极少,其导电性能很差; (2) 温度愈高，载流子的数目愈多, 半导体的导电性 能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时, 又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中的载流子便维持一定的数目。 掺杂后自由电子数目 大量增加，自由电子导 电成为这种半导体的主 要导电方式，称为电子 半导体或N型半导体。 掺入五价元素 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质 (某种元素) , 形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 P+ 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P 型半导体。 掺入三价元素 在P 型半导体中空穴是多数载流子, 自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 空间电荷区也称 PN 结。 扩散和漂移这 一对相反的运动 最终达到动态平 衡，空间电荷区 的厚度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 形成空间电荷区 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 扩散的结果使空间电荷区变宽。 1. PN 结加正向电压 (正向偏置) P接正、N接负 内电场被削弱，多子的扩散加强,形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大