光电成像器件CCD分析报告.pptVIP

* 光电成像器件 光电成像器件（photo-electronic imaging device）是利用光电效应将可见或非可见的辐射图像转换或增强为可观察、记录、传输、存储以及可进行处理的图像的器件系列的总称。 其作用是光电转换，增强原始输入光子信号，进而提高图像探测的效率和精度 。目的在于弥补人眼在灵敏度、响应波段、细节的视见能力以及空间和时间上的局限等方面的不足。最早的一种光电成像器件──光电析像管出现于1931年。 按工作原理和结构的不同分为﹕像增强器；电子照相机；电视型探测器；固体二极管阵列 。本文主要介绍固体二极管阵列中的电荷耦合器件(CCD)。 电荷耦合器件(CCD) CCD，英文全称：Charge-coupled Device，中文全称：电荷耦合元件。可称为CCD图像传感器。它是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号。它具备光电转换、信息存贮和传输等功能，具有集成度高、功耗小、分辨力高、动态范围大等优点。 CCD图像传感器被广泛应用于 生活、天文、医疗、电视、传 真、通信以及工业检测和自动 控制系统。 工作原理 一个完整的CCD器件由光敏元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成，CCD工作时，在设定的积分时间内，光敏元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏元的电荷量。 取样结束后，各光敏元的电荷在转移栅信号驱动下，转移到CCD内部的移位寄存器相应单元中。移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端。输出信号可接到示波器、图象显示器或其他信号存储、处理设备中，可对信号再现或进行存储处理。 栅电极G 氧化层 P型半导体 耗尽区 反型层 uGuth uGuth uG=0 构成CCD的基本单元是MOS（金属－氧化物－半导体）结构。当栅极G施加正偏压UG之前（UG=0），P型半导体中的空穴（多数载流子）的分布是均匀的；当栅极电压加正向偏压（UGUth）后，空穴被排斥，产生耗尽区，偏压继续增加，耗尽区进一步向半导体内延伸；当UGUth时，半导体与绝缘体界面上的电势（表面势ФS）变得如此之高，以至于将半导体体内的电子（少数载流子）吸引到表面，形成电荷浓度极高的极薄反型层，反型层电荷的存在说明了MOS结构具有存储电荷的功能。 性能参数 1.电荷转移效率 电荷转移效率η 转移损失率 ε 电荷传输效率η‘ 2.工作频率 控制CCD中信号电荷在移位寄存器中转移的时钟脉冲频率f=1/T。 对于二相CCD， 通常情况 3.光谱特性 CCD积分灵敏度 S=Uo/H 单位:V?cm2/μJ 曝光量H=Lτ L:光照度 τ:曝光时间(光积分TSH) H的单位:μJ/cm2 ;lx?s 4.分辨率 CCD所能分辨的最小间距就是像元间距d，因而由像元的尺寸可确定极限分辨率。 线阵CCD：极限分辨率为1/d(线对/mm) 面阵CCD: 像元数越多，分辨率越高。 更多用水平方向、垂直方向各自的线数来表示。 CCD是低照度器件，光电靶γ可达99.7%，摄像头常带有γ选择。 5.光电特性 CCD像元的饱和输出电压与它在暗场下的峰-峰噪声电压的比值 Usat/Udn 。 Usat决定于势阱中可存储的最大电荷量，一般为数百mv-数v；CCD是低噪声器件，可用于微光成像，Udn一般为数mv以下。普通CCD的动态范围1000:1左右。 6.动态范围 CCD器件可控制在1mA/cm2 。 7.暗电流 CCD类型及特点 1.类型 表面沟道CCD（SCCD）：电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输； 体沟道CCD（BCCD）：电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向传输。 工作过程：电荷的产生-存储-传输-检测。 2.特点 固体化摄像器件 高空间分辨率 高光电灵敏度和大的动态范围 光敏元间距位置精确,可获得很高的定位和测量精度 信号与微机接口容易 线阵CCD驱动电路介绍 线阵CCD驱动电路就是要产生正确的SH、?1、?2、RS 信号，它是CCD芯片赖以正常工作的基础。 以TCD1200D为例，介绍线阵CCD驱动电路：TCD1200D有2160个光敏单元，其前后各有64及12个哑单元。因此： TSH?2236TRS，fRS =1MHz，fφ1、φ2=0.5MHz。 驱动电路由单片机(AT89C2051)、可编程门阵列芯片（GAL16V8）构成。 AT89C2051是带2K字节可编程电擦除EPROM的CMOS 8位单片机。具有8031单片